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攻克高深宽比：TSV电镀铜填充技术的创新与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体行业作为信息技术产业的核心，其发展水平直接影响着国家的科技实力和经济竞争力。随着电子设备不断向小型化、高性能化、多功能化方向发展，对半导体封装技术提出了更高的要求。传统的封装技术已难以满足日益增长的性能需求，硅通孔（ThroughSiliconVia，TSV）技术应运而生，成为了推动半导体产业发展的关键技术之一。

TSV技术作为先进电子封装最核心的技术之一，具有诸多显著优势。它通过在硅晶圆上制造垂直的通孔，并填充导电材料（如铜），实现芯片不同层面之间的垂直电气连接。这种垂直连接方式相