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第六章存储器系统教学重点芯片SRAM2114和DRAM2186芯片EPROM2764SRAM、EPROM与CPU的连接

主存（内存）：位于“主机”内部的存储器，一般由半导体器件构成。特点是存取速度快、功耗低、但相对容量小。用来存放当前机器运行的程序和数据。辅存（外存）：一般由光、磁材料构成。特点是容量大、相对成本低，但CPU不能直接对其读写。5.1半导体存储器概述存储器系统的层次结构

三级存储器系统CPUCache主存（内存）辅存（外存）Cache（高速缓冲存储器）：在速度上与CPU完全匹配，成为内存的一部分。三级存储体系的优点：解决了存储器在速度、容量、价格上的矛盾。

二、半导体存储器的分类半导体存储器只读存储器ROM随机存取存储器RAM静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM）紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）闪速存储器（FLASHMEMORY）双极型SRAMMOS型SRAM------MOS型

三、存储器的主要技术指标存储容量存取速度功耗可靠性和工作寿命

存储容量每一个存储芯片或芯片组能够存储的二进制位数或者所包含的字节总数。表示方法：p×ipB（计算机中）其中p为存储单元数，i为每个单元地址存放的二进制位数。p与地址线数量有关，i与数据线数量有关。＝2k×i（k为地址线根数）

存取时间：CPU访问一次存储器（写入或读出）所需的时间。一般以ns为单位。功耗：每个存储单元所耗的功率（uw/单元）每个芯片的总功率（mw/芯片）可靠性和工作寿命存取时间、功耗、电源

教学重点02动态存储器DRAM01静态存储器SRAM6.2半导体存储器芯片

一、半导体存储芯片的结构①存储体：由多个存储单元构成，用来存储信息。②地址译码电路：根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元。③片选和读写控制逻辑：选中存储芯片，控制读写操作。地址寄存器地址译码器存储体AB数据寄存器读写控制电路DBOEWECS片选端CS有效时，芯片数据线打开，否则数据线为三态。输出OE：控制读操作。有效时，芯片内数据输出。写WE：控制写操作。有效时，数据进入芯片中。

地址译码方式译码器A5A4A3A2A1A06301存储单元64个单元单译码行译码A2A1A0710列译码A3A4A501764个单元双译码单译码结构双译码结构：可简化芯片设计，是主要采用的译码结构

1静态存储器SRAM信息存储在触发器中。一般用于Cache。2双极型：速度快、集成度低、功耗大3MOS型：速度慢、集成度高、功耗低4动态存储器DRAM信息存储在极间电容上。一般用于主存。二、RAM特点

2114芯片1K×4。10根地址线，4根数据线，CS′为片选端，WE′为读写控制端，1为读，0为写6116芯片2K×8。11根地址线，8根数据线，CE′为片选端，WE′为写控制端，OE′为读控制态随机存储器SRAM

教学重点EPROM27322只读存储器ROM1

0102ROM特点掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改PROM：允许一次编程，此后不可更改EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除

可擦除EPROM出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息“1”。编程就是将某些单元写入信息“0”。顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息。一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程。编程后，应该贴上不透光封条。0102

一．EPROM芯片2732A7A6A5A4A3A2A1A0O0O1O2GNDVccA8A9A11OE/VPPA10CEO7O6O5O4O312345678910111224232221201918171615141312根地址线A11～A08根数据线O7～O0片选CE读控制OE编程电压VPP（+12.5或+25V）存储容量为4K×8

2732的工作方式高阻+5VVPPVIH编程禁止DIN+5VVPPVIL编程高阻+5V×VIH待机高阻+5VVIHVIL输出禁止DOUT+5VVILVIL读输出VCCOE/VPPCE

将汇编源程序汇编为机器代码文件01用写入器将机器代码的数据写入EPROM芯片02将EPROM芯片装入计算机系统运行03若程序有问题，取出芯片用紫外线擦除器清除EPROM芯片数据04重复上述过程，完成程序设计功能052732在产品开发中的应用步骤

设计存储器系统时，先确定主存容量的大小、存储器芯片的容量