《半导体器件原理与工艺》器.pptxVIP

半导体基础pn结BJTMOS结构基础MOSFETMS接触和肖特基二极管JFET和MESFET简介半导体器件原理

硅半导体表面理想硅表面键的排列从体内到表面不变,硅体特性不受影响”

硅表面-1真实表面表面沾污(C,Oetc.)表面重构

Si-SiO2界面表面钝化最常见的钝化材料:SiO2

硅表面-3二氧化硅的宽禁带阻止了半导体中载流子的逃逸

Si-SiO2系统中的表面态与表面处理可动离子M+界面态晶格中断,引起表面能级(110)(100)固定表面电荷过剩硅离子产生的陷阱电荷辐射产生,退火可以消除

理想的MOS结构特点金属足够厚氧化层完美无缺陷半导体均匀掺杂半导体足够厚半导体背面是理想的欧姆接触一维结构SiVg

理想的MOS结构heartofMOSFETs(fromwhichCMOSismade)heartofDRAMs,Flashmemories三明治结构Al/SiO2/Si(earlyMOSFETs)N+-polySi/SiO2/Si(modernMOSFETs)Al/Si3N4/Si(metallinesonSi)WSi/AlGaAs/InGaAs(mordernhigh-frequencytransistors)

能带图

电荷块图

外加偏置电压的影响

外加偏置电压的影响-1

MOS结构的基本公式

MOS结构的基本公式-17

耗尽

耗尽-1

反型

反型-1耗尽层电荷:

积累

平带

FlatBandVoltage

栅电压VG

栅电压VG

MOS电容电容的定义:

MOS电容-1

积累态:耗尽态:MOS电容-2

MOS电容-3反型

实验结果

半导体基础01pn结02BJT03MOS结构基础04MOSFET05MS接触和肖特基二极管06JFET和MESFET简介070809半导体器件原理

MOSFET结构

输入阻抗高01噪声系数小02功耗小03温度稳定性好04抗辐射能力强05工艺要求高06MOSFET与BJT的比较MOSFET的结构

基本工艺Al栅结构Si栅结构

MOSFET的基本工作原理与输出特性VG是控制电压。当VG?VT，两个背靠背二极管当VG略小于VT时，表面耗尽层产生当VGVT时，表面反型

工作原理

工作原理-夹断特性

MOSFET的分类N沟和P沟

分类-1增强和耗尽

MOSFET的阈值电压定义01阈值电压衬底表面开始强反型时的栅源电压UT(ideal)02

阈值电压的表示式MOS结构中的电荷分布

MOSFET阈电压-1

阈电压-2实际的MOS器件中,QOX不为0,金属/半导体功函数差?MS也不等于0,当VG=0时半导体表面已经发生弯曲,为使能带平直，需加一定的外加栅压去补偿上述两种因素的影响，这个外加栅压值称为平带电压，记为VFB。

实际MOSFET阈电压-3考虑氧化层中的电荷,金属半导体功函数影响

非理想条件下的阈值电压UBS=0,UDS0时的阈值电压

非理想条件下的阈值电压-1NMOSPMOS定义:则UBS0时的UT

非理想条件下的阈值电压-2衬偏调制系数的定义:

影响阈值电压的因素功函数差贰栅氧厚度壹衬底掺杂浓度肆氧化层中的电荷叁

影响阈值电压的因素01.VT的调整:02.衬底掺杂浓度03.二氧化硅厚度

离子注入掺杂调整阈电压阈电压调整技术一般用理想的阶梯分布代替实际的分布01按注入深度不同,有以下几种情况:浅注入深注入中等深度注入02

阈电压调整技术-1注入深度远小于表面最大耗尽层厚度半导体表面达到强反型时，薄层中电离的受主中心的作用与界面另一侧SiO2中Qox的作用相似。阶梯深度大于强反型状态下的表面最大耗尽区厚度浅注入深注入

阈电压调整技术-2中等深度注入

阈电压调整技术-301埋沟MOSFET02用埋沟技术控制UT流子迁移率受材料内部晶格散射和离化杂质散射决定表面碰撞减低迁移率N+05xN+Ly06有效迁移率

01与栅电压有关02VG越大?有效迁移率越小有效迁移率-1

平方律理论非饱和区电流电压方程萨方程(SPICE一级模型)基本假定:①衬底均匀掺杂。②长沟道器件，沟道两端的边缘效应以及其他短沟道效应不起作用；沟道宽度远大于沟道长度，与沟道电流垂直方向上的两侧边缘效应也不予考虑。③反型层内载流子迁移率等于常数。④二氧化硅层电荷面密度QOX等于常数。⑤忽略漏区、源区体电阻及电极接触电阻上的电压降。⑥忽略源、漏PN结及场感应结的反向漏电流。⑦强反型近似条件成立。⑧沟道导通时漂移电流远大于扩散电流。⑨缓变沟道近似条件成立，即与Si/SiO2界面垂直方向电场强度的数值远大于沟道流动方向上的电场强度数值。⑩忽略表面耗尽区电