英诺赛科-市场前景及投资研究报告：氮化镓功率半导体龙头，引领三代半能源风向.pdfVIP

公司研究

证券研究报告电子2025年05月29日

英诺赛科（02577.HK）深度研究报告推荐（首次）

氮化镓功率半导体龙头，引领三代半能源革当前价：36.85港元

命新风向

❖全球氮化镓IDM龙头，专注第三代半导体技术突破。英诺赛科是全球首家实

现8英寸氮化镓晶圆量产的IDM厂商，专注于GaN功率器件研发、制造与销

售。作为全球唯一覆盖15V-1200V全电压谱系的氮化镓功率半导体供应商，

公司聚焦15V-900V全电压产品线，覆盖消费电子、数据中心、新能源车及工

业电源等核心场景，2023年以42.4%市占率位居全球GaN分立器件出货量第

一，截至24年末月产能达1.3万片，并计划未来五年内将产能提升至7万片。

❖从消费电子到数据中心汽车电子，定义功率半导体新标杆。传统硅基材料已

接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。GaN功率

半导体各下游增长引擎明确，（1）消费电子：AI手机等各类AI终端的渗透驱

动终端功率提升，GaN方案较硅基体积缩小70%，有望受益于快充小型化、

电源模块高密度化趋势。（2）数据中心：大模型迭代引领算力需求高涨，电源

转换效率是数据中心电力消耗的核心限制因素，算力需求的提高将逐步催化氮

化镓功率半导体在数据中心领域的落地。（3）机器人：氮化镓器件能实现更精

准的控制、减少开关损耗、尺寸更小，满足机器人对高效能、高可靠性和小型

化的需求。（4）汽车电子:汽车智能化大势所趋，车规功率器件逐步向高压/高

频升级，氮化镓上车进程持续加速。

❖四大应用领域增长，构建清晰的业绩增长路径。（1）消费电子：公司氮化镓产

品深度渗透适配器、OVP等消费电子核心场景，此外公司VGaN是全球首款

导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。公司深度绑定消费电子头部品

牌，并积极布局音频功放、无线充电、家电等领域，进一步打开增量空间。（2）

数据中心：公司针对PSU及主板提供矩阵式产品。针对48V到12V的供电转

换，公司已于25年推出两款48V四相交错降压电源方案。目前已导入长城电

源等多家数据中心厂商。（3）工业机器人：公司积极布局机器人应用，推出

100V/150V全系列氮化镓产品，将广泛应用于机器人多个模块。目前相关产品公司基本数据

正与行业客户合作进行项目开发，其中100W关节电机驱动产品已顺利实现量总股本(万股)88081.67

产。（4）汽车电子：随着自动驾驶渗透率提升及车载LiDAR前装市场爆发，已上市流通股(万股)49125.72

依托车规级认证的先发优势，有望在智能驾驶硬件标配化进程中持续拓展长期总市值(亿港元)339.11

成长空间。

流通市值(亿港元)189.13

❖IDM护城河显著，产能规模提升有望带动盈利拐点。英诺赛科是全球首家实资产负债率(%)46.44

现8英寸GaN晶圆量产的IDM厂商，公司自主把控设计、制造全流程，晶圆每股净资产(元)3.38

良率超95%，显著降低单位成本并规避代工供应链波动风险，在产品组合/封12个月内最高/最低价64.90