原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
哈尔滨工业大学硕士学位论文
摘要
聚酰亚胺(PI)是指分子主链中含有酰亚胺环状结构的环链高聚物。具有耐高
温、强度高、高绝缘性、低介电常数和低介电损耗等优异的综合性能，近年来PI
在微电子工业中得到了广泛的应用。PI本身的高耐热和高绝缘性能使其十分适用
于高功率电子器件的基板材料，而传统PI覆铜板制备工艺存在成品耐热性差、难
以制备厚Cu层的问题。针对上述问题，本文通过磁控溅射在PI板上制备了微米
级的Cu膜，后续采用扩散连接方法将一定厚度的Cu箔连接在PI板上，并且分
析了氧化层的添加对界面的影响机制。
通过控制磁控溅射的工艺，得到了与PI衬底结合良好的Cu膜。在磁控溅射
中，随氩气气压上升，PI与Cu膜界面结合强度先上升后下降，气压为1.8Pa
时，PI与Cu膜结合强度最好；溅射功率在400W以下时，PI与Cu膜结合较
好，而当溅射功率大于等于600W时，界面结合强度则逐渐减小；当溅射时间达
到40min时，界面结合强度开始下降。采用以上参数制备的Cu膜均有一定的
(111)面择优取向。
将磁控溅射制备的PI/Cu结构与Cu箔进行扩散连接以加厚Cu层。扩散连接
温度由250℃逐渐升高到350℃时，Cu-Cu界面逐渐焊合，并且接头强度逐渐提
高。随压力提高Cu-Cu界面结合情况改善，接头强度逐渐上升，在不破坏母材的
前提下，通过350℃-15MPa-60min扩散连接工艺获得了最高接头剪切力为73
N。但此强度仍然很低。通过断裂路径发现，接头均断裂于PI/Cu界面。
添加Cu-O过渡层可以显著提高PI与Cu膜的结合强度。通过分子动力学模
拟证明了CuO相比CuO与PI亲和力更强，从而确定了需要制备的氧化层成分。
2
氧化层成分由CuO转变为CuO。热氧化时间对界面产物影响不大，从0.5h到2
2
h界面产物均为CuO。350℃-0.5h的热氧化参数下形成了约500nm厚的CuO
22
层。对添加了CuO过渡层的PI/Cu-Cu结构进行扩散连接，结果发现，添加CuO
22
过渡层后，接头最大剪切力最高可达207N。
通过XPS分析以及第一性原理计算研究了Cu与PI相互作用机制。Cu与PI
的结合主要为Cu与PI单体中均苯二酐(PMDA)中的羰基氧产生静电作用所致。
随沉积过程的进行，Cu团簇与PI单体之间的结合仍然主要依靠初始Cu原子与
PMDA中的羰基氧的静电作用。引入O原子后，初始Cu原子与PMDA中的羰基
氧相互作用明显增强，并且Cu-O团簇与PI之间相互作用明显增强，界面结合强
度得到了提高。
关键词：聚酰亚胺；磁控溅射；扩散连接；铜箔；覆铜板；第一性原理
-I-
哈尔滨工业大学硕士学位论文
Abstract
Polyimide(PI)referstotheringchainpolymerwithimideringstructureinthe
mainchainofthemolecule.PIhasexcellentcomprehensivepropertiessuchashigh
temperatureresistance,highstrength,highinsulat
文档评论（0）