半导体存储器及存储扩展.pptVIP

鲁东大学LUDONGUNIVERSITY半导体存储器-ROMII.ROMMROMPROMEPROMEEPROMFLASHMEMORY27系列常用EPROM与同容量SRAM管脚兼容2716,2732,2764,27128,27256,27512等2716(2K*8bit)GND2716VCCVPPA7A8A9A6A5A4A3A0A1A2D0D1D2D5D4D3D7D6A10OECEPGM地址管脚和数据管脚由容量决定，同SRAM相比不同点：只读，WE管脚换为VPP编程电压管脚片选管脚，CE同时复用编程脉冲管脚EPROM控制管脚第21页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY半导体存储器-ROMII.ROMMROMPROMEPROMEEPROMFLASHMEMORY与EPROM相比，EEPROM具有以下特点：电可擦，不需要单独擦除器件不需要额外的编程电压EEPROM使用方法与RAM类似可直接读/写，写之前对应单元擦除集成度比EPROM低，容量小但存取速度比RAM慢的多第22页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY半导体存储器-ROMII.ROMMROMPROMEPROMEEPROMFLASHMEMORYFLASHMEMORY闪存改善EEPROM集成度低，速度慢的问题具有以下特点：①功能近似于RAM，可在系统进行读/写操作②集成度高，价格低，可靠性高③擦写速度快，可擦写次数多④只能按页/块进行擦除，不能对字擦除FLASHMEMORY-各种存储卡第23页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY存储器扩展技术3.存储器扩展技术I.存储器的扩展方法由于单芯片容量有限，需要使用多块存储器芯片构成系统的存储器-存储器的扩展考虑多块芯片与系统总线之间数据线的连接地址线的连接控制线的连接第24页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY位扩展存储器扩展技术3.存储器扩展技术I.存储器的扩展方法问题1：用两块2114（1K*4bit）构成1K*8bit的存储空间1K*4bit1K*8bit目标存储器存储单元长度比使用的单芯片的单元长度长需要进行存储单元长度的扩展扩展需要芯片数=要求存储容量单片存储容量∴需要1K*8bit/（1K*4bit）=2片第25页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY位扩展存储器扩展技术3.存储器扩展技术I.存储器的扩展方法问题1：用两块2114（1K*4bit）构成1K*8bit的存储空间10根地址线4根数据线10根地址线8根数据线10根地址线4根数据线1K*4bit1K*8bit1K*4bit高4根数据线低4根数据线用于位扩展的芯片，地址空间相同，地址线和片选线连接相同各芯片的数据线分别连接数据线的不同段第26页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITYDD????D047位扩展存储器扩展技术3.存储器扩展技术I.存储器的扩展方法问题1：用两块2114（1K*4bit）构成1K*8bit的存储空间地址线和片选线连接相同数据线分别连接不同段9AA0???21142114CSWE第27页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNIVERSITY位扩展存储器扩展技术3.存储器扩展技术I.存储器的扩展方法问题2：用1K×8位存储芯片组成2K×8位的存储器地址线和片选线连接相同数据线分别连接不同段1K×8位2K×8位单芯片存储单元的个数不够∴多片芯片扩展存储单元的数量字扩展扩展所需芯片的数量：2K×8位1K×8位=2片1K×8位1K×8位=2K×8位10根地址线8根数据线10根地址线8根数据线11根地址线8根数据线?数据线连接相同，依次连接到系统数据线上第28页，共57页，星期日，2025年，2月5日鲁东大学LUDONGUNI