《南方新课堂·高考总复习》物理 第十章 专题六 带电粒子在复合场中运动的科技应用[配套课件].ppt

答案：D 突破6霍尔元件 1.定义：高为h、宽为d的导体(自由电荷是电子或正电荷)置于匀强磁场B中，当电流通过导体时，在导体的上表面A和下表面A′之间产生电势差，这种现象称为霍尔效应，此电压称为霍尔电压. 2.电势高低的判断：如图，导体中的电流I向右时，根据左手定则可得，若自由电荷是电子，则下表面A′的电势高.若自由电荷是正电荷，则下表面A′的电势低. 3.霍尔电压的计算：导体中的自由电荷(电子)在洛伦兹力作用下偏转，A、A′间出现电势差，当自由电荷所受电场力和洛伦兹力 【典题6】(2023年浙江卷)某兴趣小组设计的测量大电流的装置如图所示，通有电流I的螺绕环在霍尔元件处产生的磁场B＝k1I，通有待测电流I′的直导线ab垂直穿过螺绕环中心，在霍尔元件处产生的磁场B′＝k2I′.调节电阻R，当电流表示数为I0时，元件输出霍尔电压UH为零，则待测电流I′的方向和大小分别为() 解析：根据安培定则可知螺绕环在霍尔元件处产生的磁场方向竖直向下，则要使元件输出霍尔电压UH为零，直导线ab在霍尔元件处产生的磁场方向应竖直向上，根据安培定则可知待测电流I′的方向应该是b→a；元件输出霍尔电压UH为零，则霍尔元件答案：D 【考点突破2】(多选)一长方体电阻率为ρ的载流P型半导体(载流子为空穴正电荷)，长、宽、厚分别为a、b、c，其中abc，置于匀强磁场B中，方向垂直于P型半导体上表面，现将金属板用图甲、乙两种方式接到内阻可不计的电源两端，合上开关后在P型半导体前后表面(即Ⅰ、Ⅱ面)将产生电势差.已知电流I与空穴正电荷定向移动的速率v关系为I＝nqvS(n为P型半导体单位体积内的空穴正电荷个数，q为空穴正电荷的电荷量，S为导体的横截面积).则P型半导体()甲乙A.图甲、乙前后表面电势差相等B.图甲前后表面电势差小于图乙C.图甲、乙的连接方式均为后表面电势较高D.图甲中前表面电势高，图乙中后表面电势高B正确;半导体中的载流子为空穴正电荷，空穴正电荷的定向移动方向与电流方向相同，由左手定则可知，图甲与图乙两种情况连接方式空穴正电荷所受洛伦兹力方向相同，空穴正电荷向后表面偏转，两种情况下都是后表面电势高，C正确，D错误.答案：BC专题六带电粒子在复合场中运动的科技应用突破1速度选择器1.平行板中电场强度E和磁感应强度B互相垂直.(如图)2.带电粒子能够沿直线匀速通过速度选择器的条件是qvB＝3.速度选择器只能选择粒子的速度，不能选择粒子的电性、电荷量、质量.4.速度选择器具有单向性. 【典题1】(2022年广东大湾区模拟)如图所示，M、N为速度选择器的上、下两个带电极板，两极板间有匀强电场和匀强磁场.匀强电场的场强大小为E、方向由M板指向N板，匀强磁场的方向垂直纸面向里.速度选择器左右两侧各有一个小孔P、Q，连线PQ与两极板平行.某种带电微粒以速度v从P孔沿PQ连线射入速度选择器，从Q孔射出.不计微粒重力，下列判断正确的是()B.匀强磁场的磁感应强度大小为A.带电微粒一定带正电vEC.若将该种带电微粒以速率v从Q孔沿QP连线射入，不能从P孔射出D.若将该带电微粒以2v的速度从P孔沿PQ连线射入后将做类平抛运动 解析：若带电微粒带正电，则受到的洛伦兹力向上，电场力向下，若微粒带负电，受到的洛伦兹力向下，电场力向上，若洛伦兹力等于电场力，微粒沿PQ运动，因此微粒可以带正电也可以带负电，A错误;对微粒受力射入，受到的洛伦兹力和电场力均向上，若带电微粒带正电，从Q孔沿QP连线射入，受到的洛伦兹力和电场力均向下，不可能做直线运动，不能从P孔射出，C正确;若将该带电微粒以2v的速度从P孔沿PQ连线射入后，洛伦兹力大于电场力，微粒做曲线运动，由于洛伦兹力是变力，不可能做类平抛运动，D错误.答案：C突破2质谱仪1.构造：如图所示，由粒子源、加速电场、偏转磁场和照相底片等构成. 2.原理：粒子由静止在加速电场中被加速，根据动能定理可得 由以上两式可得出需要研究的物理量，如粒子轨道半径、粒子质量、比荷. 【典题2】(2024年广东湛江二模)核废水中包含了具有放射性的碘的同位素131I，利用质谱仪可分析碘的各种同位素.如图所示，电荷量相同的131I和1