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DDR3调试
DDR3配置:时钟输入400M,芯片V6lx240t-2ff1156,突发模式为BL=8,长度为64。
仿真:新建工程,添加用xilinx生成DDR3核的sim_tb_top等文件。进行仿真。
traffic_gen是xilinx自带的一个测试DDR的模块随机的读写DDR,然后校验读取和写入的数值是不是一样。如果有错,会拉高tg_compare_error来报警。而我们要做的就是自己看懂traffic_gen向DDR模块发送的时序,然后去重新编写一个模块来代替traffic_gen。
traffic_gen写数据时序图:
traffic_gen读数据时序图:
设计读写模块:
由于需要代替traffic_gen模块,所以需要设计数据发送模块〔cad_gen_1〕,命令时序模块〔cad_gen_2〕和数据校验模块〔data_compare〕,另外增加异步读写FIFO来保证读写稳定不出错。系统模块间信号连接图如下:
子模块功能
cad_gen_1模块负责产要写入DDR3的数据。先将数据存入写FIFO中。
cad_gen_2模块负责产生命令〔app_com〕,地址〔app_addr〕,控制器写数据有效使能〔app_en〕,写数据使能〔app_wdf_wren〕,写数据结束信号〔app_wdf_end〕。
data_compare模块负责将从的DDR3核中读出的数据与写入的数据相比拟。从而得出误码率。
子模块接口
Cad_gen_1模块
信号
位宽
方向
描述
Clk
1
Input
外部时钟
rst
1
input
复位信号
app_rdy
1
Input
由DDR3核输出的核ready信号
app_wdf_rdy
1
Input
由DDR3核输出的接收数据ready信号
phy_init_done
1
Input
核初始化成功时置1,只有初始化完成以后才能进行相应的读写操作。
fifo_wr_data
256
Output
写入DDR的数据,当FIFO的使能wr_fifo_wren为高时+1计数
wr_fifo_wren
1
Output
数据存入fifo的使能,每次拉高两个时钟周期。
Cad_gen_2模块
信号
位宽
方向
描述
clk
1
Input
与DDR核的时钟一直
rst
1
Input
复位
app_rdy
1
Input
由DDR3核输出的核ready信号
phy_init_done
1
Input
核初始化成功时置1,只有初始化完成以后才能进行相应的读写操作。
app_wdf_rdy
1
Input
由DDR3核输出的接收数据ready信号
app_cmd
3
Output
读写命令信号,1为读,0为写
app_en
1
Output
操作地址app_addr的是能,只又它拉高的时候,命令和地址才有效。〔注意,当写入时,如果app_en为高,且app_rdy为低,那么app_en保持高直到app_rdy为高时,app_en拉低〕
app_wdf_wren
1
Output
写数据使能,拉高时,写入数据有效。在app_en有效的下一个时钟上升沿,数据使能拉高保持两个时钟周期后,拉低。〔准确的说,只能每个地址写入数据时,此信号要在app_en拉高后也拉高,持续两个时钟周期〕
app_addr
28
Output
读写的地址〔注意:因为突发长度为8,所以地址应该以8递增。〕
app_wdf_end
1
output
写结束接口,在写使能有效的下一个时钟上升沿拉高,持续一个时钟周期。
Data_conpare模块
信号
位宽
方向
描述
Clk
1
Input
时钟,与核一致
Rst
1
Input
复位
Data
256
Input
DDR3核中读出的数据
Rd_en
1
Input
读数据时,DDR3核反应的读数据有效信号,拉高,那么数据有效。
Error
1
Output
数据错误
Error_cnt
32
Output
错误计数
读写时序图
写入数据时序:
写数据时序图
在保证app_wdf_rdy和app_rdy为高的情况下,写数据时,写命令app_cmd为3’b000,地址每次计数+8。当地址变化时,将app_en置高一个时钟周期就置0,如果app_en置高时,app_rdy为低,那么app_en要保持拉高到app_rdy置1后一个周期拉低,在此期间地址数据使能都不变。在app_en拉高的一个周期后,将app_wdf_wren拉高2个时钟周期,并对应发送两个256位的数据,发送第二个数据时,拉高app_wdf_end信号,说明,当前地址要发送的数据传输完成。app_rdy在app_rdy为高的情况下,拉高一个周期说明当前地址数据有效。否那么数据地址均无效。
读出数据时序:
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