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揭秘掺杂元素对单层硒化锡磁性与电子结构的影响：理论与实践的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在材料科学的广袤领域中，探索新型材料的性能与应用一直是推动科技进步的核心动力。其中，硒化锡（SnSe）作为一种具有独特晶体结构和物理性质的层状半导体材料，近年来受到了科研人员的广泛关注。它属于IV-VI族化合物，具备诸多优异特性，为其在多个领域的应用奠定了坚实基础。

从晶体结构来看，硒化锡呈现出典型的层状结构，其中硒原子和锡原子交替排列，层与层之间通过较弱的范德华力相互作用。这种结构赋予了硒化锡一系列独特的物理性质。在电学方面，硒化锡表现出半导体特性，其能带结构决定了它在电子学领域的潜在应用价值