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**例2:二极管“与”门(UD=0.3V)第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日**UI-IZ-IZM?UZ?IZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。UZ动态电阻：rz越小，稳压性能越好。五、稳压二极管+-第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日**（3）最大稳定电流IZM（5）最大允许功耗2、稳压二极管的参数:（1）稳定电压UZ（2）稳定电流IZ（4）动态电阻1、特点：反向击穿区非常陡峭。正常工作时处于反向击穿稳压二极管状态，工作点设在陡峭曲线的中间部分。第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日**#不加R可以吗？稳压二极管应用当不变时：当不变时：第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日**一、基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§1.4半导体三极管BECIBIEICBECIBIEIC第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日**BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高一、基本结构发射结集电结工作条件：发射结加正向电压集电结加反向电压第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日**二、电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。1、晶体管内部载流子的运动（以NPN型管为例）第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第一讲半导体器件基础第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日**参考书目《模拟电子技术基础》，董诗白等，高等教育出版社，面向21世纪课程教材《电子技术基础》,康华光,高教出版社《电子线路基础》,高文焕,高教出版社第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日**主要内容1.1半导体及其特性1.2PN结及其特性1.3半导体二极管1.4半导体三极管及其工作原理1.5三极管的共射特性曲线及主要参数第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日**本征半导体及其特性导体(Conductor)电导率＞105铝、金、钨、铜等金属，镍铬等合金。半导体(Semiconductor)电导率10-9~102硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化镓、重掺杂多晶硅绝缘体(Insulator)电导率10-22~10-14二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日**2、半导体性能半导体三大特性搀杂特性热敏特性光敏特性本征半导体晶格完整（金刚石结构）纯净（无杂质）的半导体第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日**1、硅、锗原子的简化模型半导体元素：均为四价元素GeSi+4第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日**半导体结构的描述两种理论体系共价键结构能级能带结构第7页，共52页，星期日，2025年，2月5日**共价键结构（平面图）+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴价电子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体第8页，共52页，星期日，2025年，2月5日**半导体中的载流子载流子(Carrier)指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。有温度环境就有载流子。绝对零度（-2730C）时晶体中无自由电子。第9页，共52页，星期日，2025年，2月5日**热激发（本征激发）本征激发和温度有关会成对产生电子空穴对---自由电子(FreeElectron)---空穴(Hole)两种载流子（带电粒子）是半导体的重要概念。第10页，共52页，星期日，2025年，2月5日**本征激发与复合合二为一一分为二本征激发复合第11页，共52页，星期日，2025年，2月5日**杂质半导体(ImpuritySemiconductor)杂质半导体：在纯净半导体中掺入杂质所形成。杂质半导体分两大类：N型(Ntype)半导体P型(Ptype)半导体第12页，共52页，星