碳化硅（SiC）高温电学特性的深度剖析与应用探索.docx

碳化硅（SiC）高温电学特性的深度剖析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体材料在各个领域的应用愈发广泛，其性能的优劣直接影响着相关技术的进步与创新。在众多半导体材料中，碳化硅（SiC）凭借其独特的物理和电学特性，成为了近年来半导体领域的研究热点。

SiC是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度在2.3-3.3eV之间，显著宽于传统的硅（Si）材料（1.1eV）。这一特性使得SiC在高温环境下表现出极高的稳定性，电流泄漏率低。因为宽禁带意味着电子的热激发更困难，所以SiC能够在200°C以上的高温环境中仍能稳定工作，特别适合高温功率电子器件