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(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C

解析：极紫外光刻（EUV）使用波长为13.5纳米的极紫外光，相比紫外光刻（波长一般在365nm等）、深紫外光刻（如193nm），其波长更短，能够实现更高的分辨率。电子束光刻虽然分辨率也很高，但它是串行加工技术，生产效率低，主要用于掩膜版制造等特殊场景，在大规模芯片制造中极紫外光刻是目前追求高分辨率的主流技术。

2.化学机械抛光（CMP）过程中，以下哪个不是抛光液的主要成分？（）

A.磨料

B.氧化剂

C.表面活性剂

D.金属离子

答案：D

解析：化学机械抛光液主要由磨料（如二氧化硅、氧化铝等，用于机械去除材料）、氧化剂（如过氧化氢等，用于化学反应去除材料）、表面活性剂（用于调节抛光液的表面张力等）组成。金属离子通常不是抛光液的主要成分，过多的金属离子可能会对芯片造成污染。

3.离子注入过程中，决定注入离子能量的是（）

A.离子源

B.加速管

C.扫描系统

D.靶室

答案：B

解析：离子源的作用是产生离子，加速管通过电场对离子进行加速，从而赋予离子能量，离子能量的大小取决于加速管的电压等参数。扫描系统用于使离子束均匀地扫描在晶圆上，靶室是离子注入的场所。所以决定注入离子能量的是加速管。

4.以下哪种材料常用于半导体芯片的栅极材料？（）

A.铜

B.铝

C.多晶硅

D.金

答案：C

解析：多晶硅具有良好的导电性和热稳定性，并且可以通过掺杂来调节其电学性能，在半导体芯片制造中常用于栅极材料。铜和铝主要用于芯片的互连布线，金虽然导电性好，但成本高且在芯片制造中会引入杂质，一般不用于栅极材料。

5.在光刻工艺中，用于将光刻胶图案转移到晶圆表面的是（）

A.曝光

B.显影

C.刻蚀

D.清洗

答案：C

解析：曝光是使光刻胶在光照下发生化学反应，显影是去除曝光或未曝光的光刻胶部分形成光刻胶图案，刻蚀则是利用化学或物理方法将光刻胶图案转移到晶圆表面的下层材料上，清洗是为了去除光刻过程中的杂质等。所以答案是刻蚀。

6.以下哪种缺陷检测技术能够检测晶圆内部的缺陷？（）

A.光学显微镜

B.扫描电子显微镜

C.X射线检测

D.原子力显微镜

答案：C

解析：光学显微镜和扫描电子显微镜主要用于检测晶圆表面的缺陷，原子力显微镜也是对样品表面进行高分辨率成像。X射线具有较强的穿透能力，能够检测晶圆内部的缺陷，如内部的裂纹、杂质等。

7.半导体芯片制造中，外延生长的目的是（）

A.增加晶圆的厚度

B.在晶圆表面生长高质量的半导体层

C.提高晶圆的机械强度

D.降低晶圆的电阻

答案：B

解析：外延生长是在晶圆表面生长一层与衬底具有相同晶体结构和取向的半导体层，这层外延层具有高质量的晶体结构和电学性能，可用于制造高性能的半导体器件。它不是为了增加晶圆的厚度、提高机械强度或降低晶圆电阻。

8.以下哪种气体在化学气相沉积（CVD）中常用于沉积二氧化硅？（）

A.硅烷（SiH?）

B.四乙基原硅酸盐（TEOS）

C.氨气（NH?）

D.甲烷（CH?）

答案：B

解析：硅烷常用于沉积多晶硅等含硅材料。四乙基原硅酸盐（TEOS）在化学气相沉积过程中可以分解生成二氧化硅，是常用的沉积二氧化硅的前驱体。氨气常用于氮化硅等含氮材料的沉积，甲烷常用于沉积碳基材料。

9.芯片制造中的静电放电（ESD）防护措施不包括以下哪一项？（）

A.接地

B.使用防静电服

C.增加空气湿度

D.提高芯片工作电压

答案：D

解析：接地可以将静电引入大地，使用防静电服可以减少人体产生的静电对芯片的影响，增加空气湿度可以降低静电的产生和积累。提高芯片工作电压与静电放电防护没有直接关系，反而可能会增加芯片因静电等因素损坏的风险。

10.在半导体芯片封装中，以下哪种封装形式引脚数最多？（）

A.双列直插式封装（DIP）

B.球栅阵列封装（BGA）

C.小外形封装（SOP）

D.四方扁平封装（QFP）

答案：B

解析：双列直插式封装（DIP）引脚数一般较少，通常在几十根。小外形封装（SOP）引脚数也相对有限。四方扁平封装（QFP）引脚数比DIP和SOP多，但球栅阵列封装（BGA）通过在封装底部以阵列形式排列焊球作为引脚，能够实现更多的引脚数，可满足大规模集成电路的需求。

二、填空题（每题3分，共30分）

1.半导体芯片制造的基本工艺流程包括晶圆制造、______、封装测试三个主要阶段。

答案：芯片制造

解析：半导体芯片制造首先是制作晶圆