2016年桂林电子科技大学考研复试试题专业课试题-半导体物理A.doc

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料，不作为权威性指导和指引，仅供参考

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷A

考试科目代码：227考试科目名称：半导体物理

请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、选择（每小题5分，共25分）

1.在GaAs中熔入GaP可使其（）

A．禁带变宽B.增加电子陷阱

C．禁带变窄D.增加空穴陷阱

2.欧姆接触是指（）的金属半导体接触

A．B．

C．D．阻值较小且具有对称而线性的伏安特性

3.有效复合中心的能级必靠近（）

A．禁带中部B．导带

C．价带D．费米能级

4.有一种半导体材料的霍尔系数为零，该材料通常是（）

A．n型B．p型

C．本征型D．高度补偿性

5.有三个硅样品，其掺杂情况分别是（）

甲．含铝乙.含硼和磷各丙.含镓

A．甲乙丙B．甲丙乙

C．乙甲丙D．丙甲乙

二、简答(每小题15分，共75分)

1.从能带论的角度简述导体、半导体、绝缘体的导电性。

2.以V族元素掺入Si中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

3.简述PN结耗尽区的形成机制。

4.简述塞贝克或温差电效应

5.简述霍尔效应和量子霍尔效应以及二者的区别。

共页第页

请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

个人介绍

咨询Ta 进入空间

更多 >