反相器电路版图及特性.pptxVIP

反相器的时序特性版图设计中的闩锁效应反相器的电路、工作原理反相器的版图设计和设计规则如何驱动大的负载三、反相器电路、版图及特性

1、反相器晶体管电路图、工作原理VinM1M2OUT0offon11onoff0真值表PMOSNMOS

当Vin=‘0’时，VGS2=-5V,VGS1=-0V|VGS2||Vthp|,VGS1VthnPMOS导通NMOS截止output=‘1’(2)当Vin=‘1’时，VGS2=0V,VGS1=+5V|VGS2||Vthp|,VGS1VthnPMOS截止NMOS导通output=‘0’

Effectsofchangingthebn/bpRatio?=KPn*W/L在工艺相同的情况下，一般KPn=3KPp如果要使得?n=?p则必须要满足（W/L)p=3(W/L)n

2、反相器的时序特性RiseandFalltimesaremeasuredbetweenthe10%and90%pointsinatransition.(tr和tf的定义）Delaytimeismeasuredbetweenthe50%pointintheinputandthe50%pointintheoutput.

反相器的延迟tP=(tPLH+tPHL)/2，延迟时间的计算(估算）

如果要使tPLH=tPHL则要Rp=Rn，也就是?n=?p，则必须要满足（W/L)p=3(W/L)n，我们定义一个标准延迟单位的倒相器为：?n=?p，（W/L)p=3(W/L)n，(W/L)n=1/1,（W/L)p=3，此时倒相器的标准延迟为T。（负载也为一个标准倒相器）。1112T2T22T

反相器输出尖峰的形成尖峰是由于Cgd电容的存在，高频的输入信号通过它造成的.

反相器的反转点(了解）反相器的输入信号和输出信号相等的点叫反转点。在反转点流过NMOS和PMOS的电流相等。ThereforeVSPisgivenby:

PowerConsumption功耗和频率f成正比，和VDD2成正比。

3、反相器的版图

单个晶体管版图L(沟道长度)W(器件沟道宽度)

CMOSProcessLayers(CMOS工艺层次)LayerPolysiliconMetal1Metal2ContactToPolyContactToDiffusionViaWell(p,n)ActiveArea(n+,p+)ColorRepresentationYellowGreenRedBlueMagentaBlackBlackBlackSelect(p+,n+)Green

Intra-LayerDesignRules(设计规则)

规定各层次的最小宽度和最小间距,相关层次之间的最小间距.Metal212

反相器版图NWELL(N阱)Poly(多晶硅)P+(P扩散)N+(N扩散)Contact(接触孔)Metal(金属)CMOS层次MASK1#MASK2#MASK3#MASK4#MASK5#MASK6#掩模版层次

版图文件:GDSII,CIF格式版图设计生成MASK交给工厂生产版图设计工程师完成掩模工厂完成芯片前道工厂完成版图处理流程

两种典型的倒相器版图

(TwoTypicalInverterLayoutStyles)

4、闩锁效应(Latch-up)此尖峰可以导致闩锁效应(latch-up).通过C2电容的下降沿尖峰使得晶体管Q2导通.电流流经晶体管Q2导致RW1和RW2上的电压下降,并使得Q1管导通.流经晶体管Q1的电流在电阻RS1和RS2上产生压降,使得Q2进一步导通.通过C1的上升沿尖峰具有和前面同样的效果.

闩锁效应的解决方法(SolutionstoLatch-up)放慢上升/下降时间来减少尖峰的幅度.缩小漏极区域的大小来减少电容C1和C2值.把衬底和阱接触靠近晶体管的漏极来减小电阻RW1和RS2的值.12345需要大电流驱动的情况下，尽量使用无需PMOS的电路结构。将n+和p+区