TCASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docx

ICS31.080

CCSL40/49

团 体 标 准

T/CASAS046—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）

试验方法

Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal?oxidesemiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

2024?11?19发布 2024?11?19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布

中 国 标 准 出 版 社 出版

T/CASAS046—2024

目 次

前言 Ⅲ

引言 Ⅳ

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

试验电路 2

试验方法 2

5.1 试验流程 2

5.2 样品选择 3

5.3 初始值测量 3

5.4 试验条件 3

5.5 应力波形 4

5.6 中间测量或终点测量 5

失效判据 5

试验报告 5

附录A（资料性）SiCMOSFET动态反偏试验记录表 6

参考文献 7

Ⅰ

T/CASAS046—2024

前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。

本文件起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。

Ⅲ

T/CASAS046—2024

引 言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。

由于SiCMOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiCMOSFET在开关动态情况下的反偏可靠性进行评估。本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的动态反偏（DRB）试验方法。

Ⅳ

T/CASAS046—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）

试验方法

范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的动态反偏（DRB）试验方法。

本文件适用于单管级和模块级SiCMOSFET用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586—1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

术语和定义

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

GB/T4586—1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

动态反偏 dynamicreversebias；DRB

漏源电压快速开通和关断偏置。

漏源电压上升速率 rateofchangeofdrain?sourcevoltage

dVDS/dt

漏源电压上升沿的变化速率。

开态栅极电压 on?stategate?sourcevoltage

VGS.on

器件导通的栅极电压。

关态栅极电压 off?sategate?sourcevoltage

VGS.off

器件关断的栅极电压。

最大栅极电压 maximumgate?sourcevol