TCASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法.docx

ICS31.080

CCSL40/49

团 体 标 准

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal?oxidesemiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

2024?11?19发布 2024?11?19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布

中 国 标 准 出 版 社 出版

T/CASAS042—2024

目 次

前言 Ⅲ

引言 Ⅳ

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

试验装置要求 2

4.1 试验环境 2

4.2 试验装置 3

试验方法 3

5.1 目的 3

5.2 测试 4

失效判定 5

测试报告 6

附录A（资料性）SiCMOSFET器件高温栅偏试验记录表 7

参考文献 8

Ⅰ

T/CASAS042—2024

前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。

本文件起草单位：忱芯科技（上海）公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、东风汽车集团有限公司、北京智慧能源研究院、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：毛赛君、杨书豪、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、林翰东、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、乔良、段果、李本亮、高伟。

Ⅲ

T/CASAS042—2024

引 言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频、高湿等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷。器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可靠性的重要手段。

由于SiC/SiO2界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题，在长期高应力的测试环境下，导致SiCMOSFET器件的失效机制变得复杂，例如阈值电压VGS(th)和米勒电容的变化等。SiCMOSFET的高温可靠性试验方法及监控参数，需要做出相应的调整，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的高温栅偏试验方法。

Ⅳ

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法，包括试验装置、失效判定。

本文件适用于SiCMOSFET功率器件、功率模块的可靠性评估。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586—1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

T/CASAS002—2021 宽禁带半导体术语

T/CASAS006—2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

术语和定义

GB/T4586—1994、T/CASAS002—2021、T/CASAS006—2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

栅-源电压 gate?sourcevoltage

VGS

器件的栅极和源极之间的