TCASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法.docx

ICS31.080

CCSL40/49

团 体 标 准

T/CASAS033—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）功率器件开关动态测试方法

Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal?oxidesemiconductorfiledeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice

2024?11?19发布 2024?11?19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布

中 国 标 准 出 版 社 出版

T/CASAS033—2024

目 次

前言 Ⅲ

引言 Ⅳ

1

范围 1

2

规范性引用文件 1

3

术语和定义 1

4

符号和缩略语 2

5

测试电路与测试条件 2

5.1

测试电路 2

5.2

测试条件 3

5.2.1

测试环境

…………………………3

5.2.2

直流电源

…………………………4

5.2.3

直流母线

…………………………4

5.2.4

钳位电感

…………………………4

5.2.5

驱动电路

…………………………5

5.2.6

温控平台

…………………………7

5.2.7

脉冲发生

器 7

5.3

其他事项 7

6

测试仪器与测试方法 8

6.1 测试仪器 8

6.1.1

测试系统 8

6.1.2

电压探头 8

6.1.3

电流探头 9

6.1.4

示波器 9

6.1.5

同轴电缆 9

6.2 测试方法 9

7

测试结果与计量方法 10

7.1

测试结果记录 10

7.2

开关时间 10

7.3

开关损耗 11

7.4

开关速度 11

附录A（资料性）SiCMOSFET功率器件开关动态测试记录表 12

参考文献 13

Ⅰ

T/CASAS033—2024

前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。

本文件起草单位：重庆大学、华润润安科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、杭州飞仕得科技有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、是德科技（中国）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麦科信科技有限公司、浙江大学、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院、合肥工业大学、中国工程物理研究院电子工程所、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、泰克科技（中国）有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、湖北九峰山实验室、中国电力科学研究院有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、东风汽车集团有限公司、智新半导体有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市新凯来技术有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：曾正、潘效飞、牛富丽、孙鹏、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、张兴杰、吴新科、孙文涛、赵爽、李俊焘、张太之、孙川、佘超群、陈媛、王丹丹、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、王来利、陈刚、王晓萍、黄海涛、杜凯、林晓晨、唐浩铭、李本亮、高伟。

Ⅲ

T/CASAS033—2024

引 言

得益于高压、高频、高温等优异特性，SiC功率器件在交通电气化、新能源发电等领域具有不可替代的作用。然而，SiC功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，突破了传统Si器件的技术边界，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiC器件的新兴发展需求，给SiC功率器件的芯片设计、封装测试和装备研发，带来了严峻挑战。现有的SiC功率器件开关动态测试，由于缺乏定量的技术规范和测试方法，测试过程难以保证足够的精准和稳定；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比。如何实现SiC功率器件的精准开关动态测试，已成为第三代半导体行业的痛点问题。

为了服务SiC功率器件行业的良性发展，应对SiC功率器件开关测试的紧迫需求，特制定本文件。本文件详细规定了SiCMOSFET功率器件开关动态测试的电路、条件、仪器和方法。局限