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基于径向对称成像的深紫外光刻快速掩模优化研究

一、引言

随着现代微电子技术的快速发展，深紫外光刻技术（DeepUltravioletLithography,DUVL）已经成为制造高性能微电子器件的关键技术之一。其中，掩模（Mask）作为光刻过程中的重要组成部分，其质量和效率直接影响到芯片的制造质量和生产效率。因此，对深紫外光刻掩模的优化研究具有重要的实际意义。本文将探讨基于径向对称成像的深紫外光刻快速掩模优化研究，以期提高光刻效率和掩模质量。

二、深紫外光刻与掩模技术概述

深紫外光刻技术以其高分辨率、高对准精度和低热效应等优点在微电子制造领域广泛应用。在光刻过程中，掩模扮演着将电路图形精