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超短脉冲激光辅助碳化硅晶圆切片工艺研究

一、引言

在微电子领域，碳化硅（SiC）由于其宽禁带、高热导率及耐高压等优良性能，已成为功率电子器件的重要材料。然而，碳化硅的硬度大、脆性高，其加工难度相较于传统半导体材料如硅等显著增加。近年来，超短脉冲激光技术的发展为碳化硅晶圆的切片工艺带来了新的突破。本文将针对超短脉冲激光辅助碳化硅晶圆切片工艺进行研究，以期为碳化硅的加工技术提供新的思路和方法。

二、超短脉冲激光技术概述

超短脉冲激光技术是一种以高能量、超快速度运行的激光技术。它具有极高的峰值功率和极短的脉冲持续时间，使得材料在极短时间内被局部加热至熔融或气化状态，从而实现精确的加工。这种技术对于硬