第三代半导体材料制造工艺.pptVIP

第1页，共40页，星期日，2025年，2月5日随着半导体材料的单晶制备及外延技术的发展和突破，并基于以下几方面原因，宽带隙半导体材料应运而生。耐高温、高热导、高耐压特性，发展高温（300℃）、高功率和低损耗电子器件。高亮度发光管，从而使人类可以获得高重复性、长寿命的全色包括白光光源，短波长激光器，束斑尺寸小，可实现高密度数据光存储，以及及紫外探测器。第2页，共40页，星期日，2025年，2月5日近年来，随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是有些特殊场合要求半导体适应在高温、强辐射和大功率等环境下工作，传统的一和二代半导体无能为力。于是人们将目光投向一些被称为第三代宽带隙半导体材料的研究，如金刚石、SiC、GaN和AlN等。这些材料的禁带宽度在2eV以上，拥有一系列优异的物理和化学性能。第3页，共40页，星期日，2025年，2月5日主要半导体材料的基本特性物理量SiGeGaAsGaNAlN3C-SiC6H-SiC金刚石带隙宽度(eV)1.120.671.433.376.22.363.05.5能带类型间接间接直接直接直接间接间接击穿场强(MV/cm)0.30.10.0651.2-1.413-510电子迁移率(cm2/Vs)13503900850012003008004002200空穴迁移率(cm2/Vs)480190040020014320901800热导率(W/cmK)1.30.580.552.02.853.64.96-20饱和电子漂移速度(107cm/s)122.51.42.52.5晶格常数(?)5.435.665.653.1895.1863.1124.9824.35963.080615.11733.567键结合能（eV）~5第4页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC材料及器件的一些具体应用高频功率器件：相控阵雷达、通信系统、固相UHF广播系统、高频功率供应、电子干扰(干扰与威胁)和预警系统；大功率器件：用于功率产生系统的功率电子、电涌抑制器、电动汽车的功率调节、电子调节器（传动装置）、固相电灯镇流器；高温器件：喷气发动机传感器、传动装置及控制电子、航天飞机功率调节电子及传感器、深井钻探用信号发射器、工业过程测试及控制仪器、无干扰电子点火装置、汽车发动机传感器；作为生长GaN、AlN、金刚石等的衬底。第5页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC的结构四面体单元，每种原子被四个异种原子所包围原子间通过定向的强四面体SP3键结合在一起，并有一定程度的极化SP3杂化轨道四面体单元第6页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC的结构Sic具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了它是一种结合稳定的结构。SiC具有很高的德拜温度，达到1200-1430K,决定了该材料对于各种外界作用的稳定性，在力学、化学方面有优越的技术特性。第7页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型体SiC的结构Si、C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，从而形成了庞大的SiC同质多型族，目前已知的就有200多种。SiC同质多型族中最重要的，也是目前比较成熟的、人们研究最多的是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H、4H和6H-SiC。第8页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC的结构SiC结构示意图a)3C-SiC；b)2H-SiC；c)4H-SiC；d)6H-SiC。a)ABCABC…,3C-SiCb)ABAB…,2H-SiC；c)ABCBABCB…,4H-SiCd)ABCACB…,6H-SiC第9页，共40页，星期日，2025年，2月5日SiC优良的物理和化学性能力学性质:高硬度(克氏硬度为3000kg/mm2)，可以切割红宝石；高耐磨性，仅次于金刚石。热学性质:热导率超过金属铜，是Si的3倍，是GaAs的8-10倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。SiC的热稳定性较高，在常压下不可能熔化SiC。化学性质:耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。SiC表面易氧化生成SiO2薄层，能防止其进一步氧化，在高于1700oC时，这层SiO2熔化并迅速发生氧化反应。SiC能溶解于熔融的氧