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铜衬底对石墨烯物理性质调控的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年英国曼彻斯特大学的安德烈?盖姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（KonstantinNovoselov）首次成功从石墨中分离出石墨烯以来，这种由单层碳原子组成的二维材料凭借其独特的结构和优异的物理性质，迅速成为材料科学、物理学等领域的研究热点。

石墨烯具有诸多令人瞩目的特性，在电学方面，它拥有极高的电子迁移率，室温下电子迁移率可达200,000cm2/(V?s)，远远超过传统的半导体材料，这使得石墨烯在高速电子器件应用中极具潜力，有望用于制造更小尺寸、更高性能的晶体管，从而推动集成电路向更高速度和更低功耗发展；在力学性能上，石墨烯展现出惊人的强度，其理论杨氏模量高达1.0TPa，断裂强度为130GPa，是已知强度最高的材料之一，同时还具备良好的柔韧性，能够承受较大程度的弯曲而不发生破裂，这为其在柔性电子器件，如可折叠显示屏、可穿戴设备等领域的应用提供了可能；热学性能上，石墨烯的导热率极高，室温下可达5000W/(m?K)，比铜等金属的导热性能还要优越得多，这一特性使其在散热领域具有重要的应用价值，可用于解决高性能计算机芯片、大功率电子器件等的散热难题；此外，石墨烯还拥有超大的比表面积，理论值可达2630m2/g，这使其在能源存储和传感器等领域展现出独特的优势，例如在超级电容器中，可显著提高电容性能，在传感器中，能够实现对极其微小物质的高灵敏度检测。

由于这些优异的特性，石墨烯在众多领域展现出了广阔的应用前景。在电子领域，石墨烯有望推动下一代高性能电子器件的发展，实现芯片的小型化和高速化，提高计算机的运算速度和降低能耗；在能源领域，石墨烯可以应用于电池技术，如锂离子电池中，它能够提高电池的充放电速度和容量，延长电池的使用寿命，在太阳能电池中，有助于提高光电转换效率，促进可再生能源的发展；在复合材料领域，将石墨烯添加到传统材料中，如塑料、金属和陶瓷等，可以显著增强材料的强度、韧性和导电性等性能，制造出更轻、更强、更耐用的复合材料，广泛应用于航空航天、汽车制造等行业；在传感器领域，石墨烯的高灵敏度和快速响应特性，使其能够检测到极其微小的变化，适用于气体传感器、生物传感器等多种类型的传感器，可用于环境监测、生物医学检测等方面。

在石墨烯的制备和应用研究中，衬底材料的选择对石墨烯的物理性质和性能有着至关重要的影响。铜衬底作为制备石墨烯常用的衬底材料之一，具有诸多优势。铜的熔点较高（1083℃），在化学气相沉积（CVD）等制备石墨烯的高温过程中能够保持稳定的物理和化学性质，为石墨烯的生长提供良好的支撑。同时，铜对碳原子的溶解度较低，在石墨烯生长过程中，碳原子在铜表面主要以表面吸附和扩散的方式进行反应，有利于形成高质量的单层石墨烯。此外，铜衬底相对成本较低，易于加工和制备大面积的衬底，适合大规模工业化生产。

大量研究表明，铜衬底在调控石墨烯物理性质方面发挥着不可忽视的作用。在生长过程中，铜衬底的晶面结构、表面粗糙度、杂质含量等因素都会影响石墨烯的生长模式和质量。不同晶面结构的铜衬底，由于其原子排列方式和表面能的差异，会导致石墨烯在不同晶面上的生长基元步骤有所不同，进而影响石墨烯的畴区尺寸、层数控制和晶体取向。例如，北京大学刘忠范团队发现金属铜衬底的晶面类型会影响化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜的本征洁净度，其中铜（100）晶面上生长的石墨烯洁净度高于其他几种常见晶面，这主要是由于活性碳氢物种在石墨烯/Cu(100)表面具有更高的迁移势垒而抑制了其表面无定形碳的形成。铜衬底与石墨烯之间的相互作用也会对石墨烯的电学、光学等物理性质产生影响。通过改变铜衬底的表面状态或引入外部电场等手段，可以调控铜衬底与石墨烯之间的电荷转移和界面相互作用，从而实现对石墨烯物理性质的有效调控。

深入研究铜衬底对石墨烯物理性质的调控机制，对于进一步提高石墨烯的质量和性能，拓展其应用领域具有重要的理论和实际意义。从理论层面来看，这有助于深入理解二维材料与衬底之间的相互作用规律，丰富和完善材料表面物理和化学的理论体系；在实际应用中，能够为石墨烯的高质量制备和性能优化提供科学依据和技术指导，推动石墨烯在电子、能源、复合材料等领域的产业化应用进程，促进相关产业的技术升级和创新发展。

1.2研究现状与问题提出

近年来，关于铜衬底对石墨烯物理性质调控的研究取得了丰硕的成果。在生长机制方面，研究者们借助高分辨率电子显微镜、扫描隧道显微镜等先进表征技术，深入探究了石墨烯在铜衬底上的成核与生长过程。研究发现，在化学气相沉积（CVD）生长过程中，甲烷等碳源在高温和铜衬底的催化作用下分解产生碳原子，这些碳原子在铜表面的扩散和吸附行为对石墨烯的生长