能态密度和费米面.pptVIP

自由电子的费米面费米面费米球*第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日电子在晶体中按能级是如何排布的呢？电子是费密子，它的排布原则有以下两条：（1）服从泡里不相容原理排满电子的能带称为满带；排了电子但未排满的称为未满带（或导带）；未排电子的称为空带；（有时也称为导带）；两个能带之间的禁带是不能排电子的。（2）服从能量最小原理*第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日导体和绝缘体（conductorinsulator）它们的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。晶体按导电性能的高低可以分为导体半导体绝缘体*第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日三、晶体能带的填充情况第一种情况：只有满带和空带电子恰好填满最低的一系列能带，再高的各带全部是空的。最高的满带——价带；最低的空带——导带（此时导带为空带）；价带最高能级（价带顶）与导带最低能级（导带底）之间的能量范围——带隙。带隙宽度大(约10eV)——绝缘体；带隙宽度小(约1eV)——半导体。*第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日第一种情况：只有满带与空带——图示电子填充状态未被电子填充状态半导体绝缘体*第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日晶体能带的填充情况除去完全被电子充满的一系列能带（即满带）外，还有只是部分被电子填充的能带(即未满带)，常被称为导带（此时，导带为不满带）。第二种情况：除满带和空带，还存在未满带电子填充状态未被电子填充状态*第36页，共49页，星期日，2025年，2月5日导体导体导体半导体绝缘体?Eg?Eg?Eg*第37页，共49页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日§4-7能态密度和费米面

一、能态密度函数固体中的电子能级原子中电子的本征态分立的能级分布情况描述具体标明各能级能量准连续分布特点：异常密集分布情况描述“能态密度函数N(E)”或“单位体积能态密度g(E)”*第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日一、能态密度函数1、能态密度函数定义：在E—E+ΔE能量范围内的能态数目用ΔZ表示，则能态密度函数定义为：单位体积能态密度g(E)：*第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日一、能态密度函数Ⅰ.ΔZ的确定在空间中作和等能面，在两等能面之间状态数即为ΔZ。而空间中分布是均匀的，密度为，即：(1)dk表示两等能面之间的垂直距离;(2)ds表示面积元。*第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日一、能态密度函数Ⅱ.关于ΔE由的含义（表示沿法线方向能量的改变率）可知：Ⅲ.由此得能态密度N(E)一般表达式：*第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日关于能态密度的计算公式：例一、自由电子能态密度Ｎ(E)。例二、若已知，求g(E)。例三、简立方晶格的s带对应的能态密度N(E)。*第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日例一、自由电子能态密度Ｎ(E)解：自由电子的能量本征值：自由电子等能面为球面，其半径为：*第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日例一、自由电子能态密度Ｎ(E)分析Ｅ～Ｎ(Ｅ)关系N(E)E自由电子情况近自由电子近似的能态密度*第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日近自由电子近似的等能面第一布里渊区内：认为从原点向外，等能面应该基本上保持为球面接近于布里渊区边界：等能面将向外凸出当EAEEC时：等能面将不再是完整的闭合面，而是分割在各个顶角附近的曲面。*第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日近自由电子能态密度Ｎ(E)Ｅ～Ｎ(E)关系可表示如下：(1)EEA时，N(E)自由电子结果相差不多；(2)E接近EA时，由于等能面向外凸，导致体积增大，使N(E)大于自由电子情况；(3)EEA时，由于等能面开始残破，面积下降，尤其是到达EC时，等能面缩小为几个顶角点，所以由EA到EC过程，N(E)将不断下降到零。N(E)E自由电子情况近自由电子情况*第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日近自由电子能态密度Ｎ(E)N(E)E