TCEMIA-晶体生长用高纯碳化硅粉体编制说明.docxVIP

CEMIA团体标准

《晶体生长用高纯碳化硅粉体》（征求意见稿）

编制说明

工作简况

任务来源

碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年来，物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破，进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用。

SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料，其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量，从而影响SiC单晶的电学性质，其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量。碳化硅长晶过程中用到的原料碳化硅粉体的各项指标，直接影响碳化硅晶体的质量。各厂家长晶工艺不同，除了对碳化硅粉体纯度有要求之外，粒径和晶型对晶体生长的影响很大，需要高纯SiC粉体形状、粒度、粒径分布等参数的有效控制。由于各家工艺路线的差异，不同企业对物理化学指标的要求存在不确定性，上述等等原因造成的原料质量不稳定，非常不利于下游晶体行业的快速发展。为了提高产品质量，规范产品检测标准，促进行业安全有序发展，亟待制定晶体生长用高纯碳化硅粉体的行业标准。

建立“晶体生长用高纯碳化硅粉体”团体标准，给晶体用碳化硅粉体企业指明方向，解决下游晶体厂家所需高纯碳化硅粉体产晶质量的稳定性问题，更好地配合行业客户的需求，促进产业的健康发展，进而提升高纯碳化硅粉体行业整体技术及质量标准水平。

2024年7月，河南中宜创芯发展有限公司向中国电子材料行业协会粉体技术分会提出建立“晶体生长用高纯碳化硅粉体”团体标准的建议，得到了粉体技术分会的大力支持，决定由河南中宜创芯发展有限公司（以下简称中宜创芯）牵头承担团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准的制定，项目计划编号：CEMIA2024-2-01。

本标准参与起草修订单位有绍兴晶彩科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、华为技术有限公司、广州志橙半导体有限公司、西安博尔新材料有限责任公司、山东圣诺实业有限公司、汕头天意半导体技术有限公司、连科半导体有限公司、平顶山易成新材料有限公司、江苏三责新材料科技股份有限公司、东方电气洁能科技成都有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研测试技术（河南）有限公司。

目前已完成工作

1.2.1调研

中宜创芯于2024年3月开始收集国内外的相关晶体生长用高纯碳化硅粉体技术资料并进行对比分析，总结了中宜创芯高纯碳化硅粉体的技术和产品质量水平，了解国内外相关行业技术情况，为制定标准打下了良好基础。

1.2.2标准启动会

2024年7月中宜创芯在完成调研后，组织本公司相关技术、生产、质量及销售人员召开了本标准的启动会议，启动会上相关人员介绍了晶体生长用高纯碳化硅粉体的国内外状况、行业发展动向，以及收集到的相关国标、行标和企标的相关内容等。技术、质量和生产人员介绍了晶体生长用高纯碳化硅粉体的产品质量指标及其一般检测方法等。会议最终确定了本标准中编写晶体生长用高纯碳化硅粉体的特性指标项目：主成分、杂质含量、技术要求、试验方法、检验规则等。

1.2.3起草标准草案

2024年8月，中宜创芯按照标准启动会的要求编制标准草案，并组织本企业及相关单位的专家、技术人员对制定标准草案中存在的问题进行了讨论，形成了分析方法的整体思路并开始了方法试验等工作。2023年9月召开第二次会议，根据市场调研及实际情况分析，会议确定了本标准草案中编写晶体生长用高纯碳化硅粉体产品的特性指标项目有主成分、杂质含量、试验方法等8项标准分析方法，有利于产品质量控制，助推相关产业的发展进程。

1.2.4进行验证试验

本标准工作组收集了行业内若干晶圆下游在使用碳化硅粉体长晶过程中的分析检测等重要数据，采用本标准中所规定的方法，开展了大量试验研究工作，对该产品相关指标进行验证。中宜创芯负责物理性能和检测方法验证，并进行对比分析；中国电子科技集团公司第四十六研究所负责对碳化硅粉体化学成分和杂质含量进行检测方法验证。

1.2.5标准讨论稿

标准工作组于2024年9月完成标准讨论稿，2024年9月27日中国电子材料行业协会粉体技术分会在平顶山市中宜创芯组织组织业内9位专家召开了《晶体用高纯碳化硅粉体》团体标准立项评审会，专家对本标准讨论稿、编制说明进行了认真、细致的评审。提出了将原标题中“晶圆用高纯碳化硅粉体”这一不准确的概念修改为“晶体生长用高纯碳化硅粉体”；建议高纯的碳化硅粉体的取样和包装不在延用“普通磨料碳化硅”的国标和行标，建立企业标准，将取样和包装标准编入附录中；将“3术语和定义”部分，增加产品的分类、标记、型号。将不同粒度、不同型号的碳化硅粉体进行命名及命名规则；将“技术要求4.1中的碳化硅外观附图去掉”，添加不同类型的粉体颜色的描述；将“4.2性能