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钙钛矿型铁电-GaN半导体薄膜的外延集成与性能研究

一、引言

在现代电子材料领域，铁电材料与半导体材料的集成展现出了广阔的应用前景。钙钛矿型铁电材料具有独特的铁电性能，如自发极化、电滞回线等特性，使其在存储器、传感器以及驱动器等诸多领域具有潜在应用价值。而GaN作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其宽禁带宽度、高临界击穿场强以及优异的电输运特性，在高功率、高频电子器件中发挥着关键作用。将钙钛矿型铁电材料与GaN半导体进行外延集成，有望结合二者优势，开发出高性能、多功能的新型电子器件，这对于推动微电子学、光电子学等领域的发展具有重要意义。然而，由于钙钛矿型铁电材料与GaN在晶体结构、晶格常数以及生长条件等方面存在显著差异，实现高质量的外延集成面临诸多挑战。如何有效解决这些问题，实现二者的良好集成并充分发挥其协同性能，成为当前研究的热点与难点。

二、钙钛矿型铁电材料与GaN半导体特性

2.1钙钛矿型铁电材料特性

钙钛矿型铁电材料具有ABO?型晶体结构，其中A位通常为较大的阳离子，B位为较小的阳离子。以钛酸钡（BaTiO?）为例，在居里温度（约120℃）以上，其晶体结构为立方相，不具有铁电性；当温度降低到居里温度以下时，晶体结构转变为四方相，产生自发极化，具有铁电特性。这种自发极化源于晶体结构中离子的位移，导致正负电荷中心不重合。在电场作用下，铁电材料的极化强度会发生变化，呈现出电滞回线的特征。不同成分的钙钛矿型铁电材料，如PMN-PT（(1-x)Pb(Mg?/?Nb?/?)O?-xPbTiO?），在准同型相界附近具有超高的压电系数（d??～2500pC/N）以及较大的剩余铁电极化强度（Pr～45μC/cm2）。这些优异的铁电性能使得钙钛矿型铁电材料在铁电存储器中可用于存储信息，在传感器中能够感知外界物理量的变化。

2.2GaN半导体特性

GaN具有纤锌矿晶体结构，其禁带宽度约为3.4eV，相比传统半导体材料（如硅的禁带宽度为1.12eV）更宽。这使得GaN在高温、高功率环境下具有更好的稳定性和抗干扰能力。GaN的高临界击穿场强（约为3MV/cm），意味着其能够承受更高的电压，适合用于高功率电子器件。在电输运方面，GaN具有较高的电子迁移率，例如在AlGaN/GaN异质结界面处能够形成高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG），电子迁移率可达2000cm2/(V?s)以上。这种优异的电输运特性使得GaN基器件在高频应用中表现出色，如在5G通信中的射频功率放大器等。此外，GaN还具有良好的化学稳定性和热导率，有利于器件的散热和长期稳定运行。

三、外延集成方法

3.1缓冲层技术

3.1.1缓冲层的作用

由于钙钛矿型铁电材料与GaN的晶体结构和晶格常数差异较大，直接外延生长会产生较大的晶格失配应力，导致薄膜质量下降。缓冲层的引入可以有效缓解这种晶格失配，促进钙钛矿型铁电薄膜在GaN衬底上的外延生长。例如，在PMN-PT铁电薄膜与GaN集成中，通过引入TiO?缓冲层和钴酸锶镧（La?-ySryCoO?，LSCO）缓冲层组成的双缓冲层结构，能够显著降低PMN-PT与GaN间的晶格失配度，使晶格失配度由12.1％降低为4.3％。TiO?缓冲层可以改善界面状态，提高薄膜的表面平整度；而LSCO缓冲层不仅具有良好的导电性，可作为外延底电极，还能与PMN-PT铁电薄膜的晶体结构相匹配，降低晶格失配。在生长BST（Ba?Sr?-?TiO?）类钙钛矿结构氧化物薄膜时，利用TiO?、YSZ（钇稳定氧化锆）、CeO?以及YBCO（钇钡铜氧）等氧化物材料作为缓冲层，实现了GaN衬底上高质量STO（SrTiO?）薄膜的外延生长，并对其进行取向控制，分别得到了(001)、(110)、(111)三种典型取向的STO薄膜。

3.1.2常用缓冲层材料及特点

TiO?是一种常用的缓冲层材料，其具有金红石相结构。在钙钛矿型铁电薄膜与GaN的外延集成中，TiO?缓冲层能够与GaN衬底形成较好的晶格匹配，同时为后续生长的铁电薄膜提供了合适的模板。较薄的TiO?缓冲层厚度（1-5nm）有助于提高薄膜的表面平整度。YSZ具有萤石相结构，通过脉冲激光沉积法可以实现a轴取向的YSZ薄膜的择优生长。在复合缓冲层结构中，YSZ可以与其他材料协同作用，诱导钙钛矿型铁电薄膜的特定取向生长，如利用YSZ/TiO?缓冲层可诱导生长(110)取向的STO薄膜。CeO?也具有萤石相结构，在复合缓冲层中，CeO?与YSZ等材料配合，能够调控钙