纳米软压印制备大面积大孔间距高度有序阳极氧化铝的研究.docxVIP

纳米软压印制备大面积大孔间距高度有序阳极氧化铝的研究

摘要

本研究聚焦于纳米软压印技术制备大面积大孔间距高度有序阳极氧化铝（AAO）。阐述了AAO在纳米材料制备等领域的重要应用，详细介绍了通过纳米软压印制备铝片表面纳米凹坑的过程，对四角密排以及不同柱高的六角密排软模板制备纳米凹坑展开深入研究，并成功实现大面积大孔间距AAO的制备。研究结果表明，纳米软压印技术在制备大面积大孔间距高度有序AAO方面展现出独特优势，为相关领域应用提供了有力的技术支撑。

关键词

纳米软压印；阳极氧化铝；大孔间距；高度有序

一、引言

阳极氧化铝（AAO）由于其独特的纳米结构，在众多领域展现出广阔的应用前景。其高度有序的孔阵列结构，使得AAO在纳米材料制备中成为理想的模板。通过AAO模板，可以精准合成不同尺寸和形状的纳米材料，如纳米线、纳米管等，在纳米电子学、催化、传感器等领域发挥关键作用。

传统制备AAO的方法存在一定局限性，难以满足对大面积、大孔间距且高度有序AAO的需求。而纳米软压印技术的出现，为解决这一难题提供了新途径。纳米软压印技术能够将模板上的微纳米结构精确复制到基底表面，具有成本低、效率高、分辨率高等优势，有望实现大面积大孔间距高度有序AAO的高效制备。

二、AAO膜在纳米材料制备上的应用

2.1AAO膜作为模板的优势

AAO膜具有高度有序的六角形孔阵列结构，孔径和孔间距可通过阳极氧化条件精确调控。这种精确可控的结构，使其成为制备各种纳米材料的理想模板。例如，在制备纳米线时，将金属或半导体材料填充到AAO膜的孔道中，去除AAO模板后，即可得到高度有序的纳米线阵列。与其他制备方法相比，AAO模板法制备的纳米线具有更好的一致性和可控性。

在催化领域，利用AAO膜的孔道结构负载催化剂活性组分，可以提高催化剂的分散度和稳定性，从而提升催化性能。在传感器方面，AAO膜的纳米孔结构能够增加与检测物质的接触面积，提高传感器的灵敏度和选择性。

2.2AAO膜制备纳米材料的实例

许多研究团队利用AAO膜成功制备出多种纳米材料。有研究人员通过在AAO膜孔道中电沉积金属镍，制备出高度有序的镍纳米线阵列，该阵列在磁存储领域展现出优异的性能。还有研究将半导体材料氧化锌填充到AAO膜孔道中，制备出的氧化锌纳米线阵列在紫外光探测器方面表现出良好的光电性能。

三、铝片表面纳米凹坑的制备

3.1纳米软压印技术原理

纳米软压印技术基于弹性印章原理，首先将母模板的微纳米结构复制到硅胶等柔性材料制成的软模板上。软模板具有良好的弹性和柔韧性，能够与基底表面紧密贴合。在对铝片等基底进行纳米压印时，将涂覆有紫外固化胶的铝片与软模板接触，施加一定压力并进行紫外光照，使紫外固化胶固化，从而将软模板上的微纳米结构复制到紫外固化胶上。去除软模板后，在铝片表面的紫外固化胶上便形成了与软模板互补的纳米凹坑结构。

3.2实验过程

首先，制备硅胶软模板。将混合均匀的PDMS前驱物与固化剂按照一定比例（如10:1）涂覆在带有微纳米柱的母模板上，厚度控制在约0.2cm，在真空中抽气处理去除气泡，随后置于60°C的烘箱中固化3h，冷却至室温后揭开，得到PDMS软模。

对铝片进行预处理，将铝片依次置入丙酮、乙醇、水中超声清洗15min，以去除表面杂质。以铝片为阳极，石墨片为阴极，在5°C的铬酸与乙醇混合溶液（体积比3:1）中进行电化学抛光处理，电压为1V，处理时间为8min，得到表面光滑平整的铝片。

利用旋转涂布的方式在处理后的铝片上涂覆紫外固化胶，转速为3000r/min，持续50s，使胶的厚度约为1μm。随后将样品置于加热台上80°C烘烤1min。用制备好的PDMS模板对固化胶进行压印，气压为0.15MPa，待紫外灯照射（功率10mW/cm2）4min固化后，将PDMS模板与基底分离，此时在Al基底形成纳米级别的紫外固化胶凹坑结构。

四、四角密排软模板制备纳米凹坑的研究

4.1四角密排结构特点

四角密排软模板具有独特的结构特点，其微纳米柱呈四角密排方式排列。这种排列方式使得在纳米压印过程中，相邻微纳米柱之间的相互作用与其他排列方式有所不同。四角密排结构在一定程度上能够影响纳米凹坑的形成密度和分布均匀性，相较于其他排列方式，可能会形成特定的纳米凹坑排列图案，为后续制备具有特殊结构的AAO膜奠定基础。

4.2实验结果与分析

通过使用四角密排软模板对铝片进行纳米压印实验，发现制备出的纳米凹坑在铝片表面呈现出规则的四角密排分布。对纳米凹坑的深度和直径进行测量分析，结果表明，在一定的压印条件下，纳米凹坑的深度较为均匀，约为[具体深度数值]，直径约为[具体直径数值]。

进