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- 2025-08-28 发布于澳门
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引言场效应管FET(FieldEffectTransistor)类型：结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)特点：1.单极性器件(一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2.输入电阻高(107?1015?，IGFET可高达1015?)第2章半导体三极管一、增强型N沟道MOSFET(MentalOxideSemi—FET)3.1.1MOS场效应管1.结构与符号P
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