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模拟电子技术题库及详细解析

引言

模拟电子技术作为电子工程领域一门至关重要的基础学科与专业技术课程,其核心在于研究如何对连续变化的模拟信号进行产生、放大、滤波、比较以及变换等处理。无论是通信、控制、电力电子,还是测量仪表等众多领域,都离不开模拟电子技术的支撑。掌握模拟电子技术,不仅需要深刻理解基本概念与原理,更需要通过大量实践来巩固知识、提升分析与解决实际问题的能力。

本文精心汇编了一系列模拟电子技术典型题目,并辅以详尽的解析。这些题目涵盖了半导体器件基础、基本放大电路分析与设计(包括单管放大电路、多级放大电路、差分放大电路)、集成运算放大器及其应用电路(如比例运算、加减运算、积分微分运算、电压比较器等)以及功率放大电路初步等核心知识点。旨在帮助读者通过练习,检验学习成效,深化对重点难点问题的理解,培养工程思维与电路设计能力。每道题目的解析不仅力求给出正确答案,更侧重于阐述解题思路、关键步骤及相关概念辨析,希望能成为读者学习道路上的良师益友。

第一章半导体器件基础

题目1:二极管伏安特性与应用

题目:现有一只硅二极管,其正向导通压降典型值为0.7V,反向饱和电流可忽略不计。若将此二极管分别接入以下两种电路中:(1)正向偏置,电源电压为3V,串联限流电阻R=(几千欧);(2)反向偏置,电源电压为10V。试分析两种情况下二极管的工作状态,并估算流过二极管的电流及二极管两端电压。

详细解析:

(1)正向偏置情况分析:

当二极管正向偏置时,若其两端电压达到并超过死区电压(硅管约0.5V),二极管将导通。题目中已给出该硅二极管正向导通压降典型值为U_D(on)=0.7V。

在此电路中,电源电压U=3V,远大于二极管导通压降。根据基尔霍夫电压定律,限流电阻R两端的电压U_R=U-U_D(on)=3V-0.7V=2.3V。

流过二极管的电流I_D,也就是流过电阻R的电流I_R,根据欧姆定律I_D=I_R=U_R/R=2.3V/R。

假设此处R的取值为(几千欧),例如R=2.3kΩ(为方便计算选取此值,实际中R值由设计需求决定),则I_D=2.3V/2.3kΩ=1mA。

因此,在此正向偏置电路中,二极管处于导通状态,两端电压约为0.7V,流过电流约为1mA(具体数值取决于R的实际取值,此处R=2.3kΩ仅为示例)。

(2)反向偏置情况分析:

当二极管反向偏置时,只要反向电压未超过其反向击穿电压,二极管将处于截止状态。题目中明确反向饱和电流可忽略不计,且未提及反向击穿,故认为二极管工作在反向截止区。

此时,流过二极管的反向电流I_D≈0A(反向饱和电流)。根据欧姆定律,二极管两端的反向电压U_D≈电源电压10V(因为I_D≈0,所以限流电阻上压降IR≈0)。

因此,在此反向偏置电路中,二极管处于截止状态,流过电流几乎为零,两端电压约等于反向电源电压10V。

核心知识点总结:

*二极管的核心特性是单向导电性:正向导通(压降较小且相对稳定),反向截止(电流极小)。

*硅二极管的正向导通压降典型值为0.6-0.8V,通常取0.7V进行估算;锗管约为0.2-0.3V。

*分析含二极管电路时,常用理想模型或恒压降模型进行近似分析。本题采用的是恒压降模型,即导通时U_D为固定值。

题目2:三极管的工作状态判断

题目:某NPN型硅三极管接在电路中,测得其三个电极的对地电位分别为:V_B=2.1V,V_E=1.4V,V_C=4.5V。试判断该三极管处于何种工作状态(放大、饱和、截止或损坏)。

详细解析:

要判断三极管的工作状态,首先需明确NPN型三极管各电极在不同工作状态下的电位关系。对于硅管而言,发射结导通电压U_BE(on)约为0.7V。

步骤1:计算发射结电压U_BE

U_BE=V_B-V_E=2.1V-1.4V=0.7V。

此值正好等于NPN硅管发射结的典型导通电压,说明发射结正偏。

步骤2:计算集电结电压U_BC

U_BC=V_B-V_C=2.1V-4.5V=-2.4V。

U_BC为负值,表明集电结反偏(对于NPN管,V_BV_C时集电结反偏)。

步骤3:根据结电压判断工作状态

三极管放大状态的外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。

本题中,U_BE=0.7V(正偏),U_BC=-2.4V(反偏),完全满足放大状态的条件。

进一步验证:

若处于饱和状态,则集电结应处于正偏或零偏(V_B≥V_C)。此处V_B=2.1VV_C=4.5V,故排除饱和。

若处于截止状态,则发射结应反偏或虽正偏但未达到导通电压(U_BEU_BE(on))。此处