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宽禁带半导体材料缺陷对载流子动力学过程影响研究

目录

一、内容综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.2宽禁带半导体材料发展现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.3载流子动力学过程研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9

1.4本文研究内容与技术路线．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11

二、宽禁带半导体材料基础理论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

2.1宽禁带半导体的物理特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

2.2典型材料体系．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18

2.3缺陷类型及其形成机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．23

2.4缺陷态密度与能级结构．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24

三、缺陷对载流子动力学的影响机理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27

3.1缺陷散射与迁移率衰减．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28

3.2复合中心与寿命调控．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29

3.3陷阱效应与电荷输运阻碍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30

3.4缺陷诱导的能带弯曲．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33

四、实验研究方法与表征技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34

4.1材料制备与缺陷工程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．37

4.2光电表征手段．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40

4.3电学测试与参数提取．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43

4.4微观结构分析技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．44

五、数值模拟与理论计算．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．51

5.1第一性原理计算方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53

5.2载流子输运模型构建．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．55

5.3缺陷动力学仿真流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．58

5.4模拟结果与实验对比．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．59

六、结果分析与讨论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．60

6.1不同缺陷类型的影响差异．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．62

6.2温度与电场依赖性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．64

6.3材料组分调控效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．66

6.4缺陷钝化策略优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．67

七、结论与展望．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．70

7.1主要研究结论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．71

7.2关键创新点总结．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．73

7.3未来研究方向建议．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．77

一、内容综述

宽禁带半导体材料（如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga?O?）及金刚石等）因具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率及高电子饱和漂移速度等优异特性，在功率电子、射频器件、光电子及高温高压等领域展现出广阔的应用前景。然而材料在实际制备和应用过程中不可避免地会产生各类缺陷，如点缺陷（空位、间隙原子、反位缺陷）、线缺陷（位错）、面缺陷（层错、晶界）以及体缺陷（沉淀相）等。这些缺陷作为载流子复合、散射及陷阱中心，对