角度调制和解调课件.pptVIP

*VCO的特點：暫態頻率隨外加控制信號的變化而變化。VCO式中：U為振盪信號的振幅，:當時的振盪頻率，kf為:VCO控制靈敏度。6.3.2壓控振盪器直接調頻電路用調製信號電壓控制振盪回路的參數，如回路電容C或回路電感L，並使振盪頻率ω正比於所加調製信號電壓，即可實現調頻。在直接調頻法中常採用壓控振盪器（VoltageControlOscillator）作為頻率調製器來產生調頻信號。VCO中最常用的壓控元件：變容二極體由電晶體和場效應管組成的電抗電路。壓控振盪器直接調頻：優點：可獲得較大頻偏.缺點：中心頻率穩定性差，常採用自動頻率微調（automaticfrequencycontrol，AFC）電路來克服載頻偏移。仿真休息1休息2通常有：，壓控振盪器的輸出信號即為調頻信號。1.變容二極體擴散電容(diffusioncapacitance)正向偏置，電容效應比較小。勢壘電容(barriercapacitance)反向偏置，勢壘區呈現的電容效應。所以為利用PN結的電容，PN結應工作在反向偏置狀態.6.3.3變容二極體直接調頻電路（VaractordiodedirectFM）PN結反向偏置時，結電容會隨外加反向偏壓而變化，而專用的變容二極管，是經過特殊工藝處理（控制半導體的摻雜濃度和摻雜的分佈）使勢壘電容能靈敏地隨反向偏置電壓的變化而呈現較大變化的壓控變容元件。結電容Cj與反偏電壓uR的關係：式中Co：時的電容值（零偏置電容）反向偏置電壓，UD：PN結勢壘電位差。γ：結電容變化指數，通常γ=1/2—1/3，經特殊工藝製成的超突變結電容γ=1—5可以看出Cj與uR之間是非線性關係，即變容二極體屬於非線性電容，這種非線性電容基本上不消耗能量，產生的雜訊量級也較小，是較理想的高效率，低雜訊非線性電容。休息1休息2PN結具有電容效應設在變容二極體上加一個靜態工作電壓Uo和一個單頻調製信號，則結反偏電壓：而結電容：其中：為靜態工作點的結電容。表示結電容調製深度的調製指數。休息1休息2CjuRUQuRtCjtCjQ為了突出調頻性能的分析，下圖只畫出了它的高頻交流等效電路，沒有畫出直流饋電電路，2.變容二極體直接調頻的原理電路圖中；C3為高頻偶合電容，C4為偶合隔直電容，LB為高頻扼流圈，阻止高頻電流經過調製信號源被旁路，右圖為振盪器交流等效電路，Cj與振盪器回路並聯，R1，R2為Cj的偏置電路，為Cj提供靜態直流偏壓，而二極體的反偏電壓為：休息1休息2+uR-LCjC1C2VTLCjC1C2VTLDC3C4ECR2+uΩ-R1+Uo-則由上電路可知，振盪頻率為：;而為了簡化電路分析，如果設：，則有所以：有其中：為未加調製信號（）時的振盪頻率，3．調頻性能分析即為調頻振盪器的中心頻率。討論：1設γ=2即滿足線性調頻。2?當則LC1C2CjVT+uR-（利用級數展開忽略高次項，可近似為：是由Cj—Vd的非線性而引起的。雖然（2）：與調頻頻率有關的最大頻偏，雖然（3）：由於Cj—uR的非線性作用，使頻偏中增加了Ω的諧波分量（2Ω）而引起的附加頻偏，會造成調頻接收時的非線性失真，應儘量減少這種失真。其中：（1）：為中心頻率的偏移量另外，定義調頻靈敏度：休息1休息24.實用變容管二極調頻電路（1）L1，C1、C2串聯，C3和反向串聯的兩個變容二極體，三個支路並聯組成電容回饋三點式振盪電路。(2)直流偏置電壓-UQ同時加在兩個變容二極體的正極，調製信號經L4扼流圈加在二極體負極上，二個二極體的動態偏置為：（3）兩個變容二極體串聯後的總電容Cj與C3串聯後接入振盪回路，對振盪回路來說是部分接入，與單二極體直接接入比較，在相同的情況下，m值降低。（4）兩變容二極體反向串聯，對高頻信號而言，加到兩管的高頻電壓降低一半，可減弱高頻電壓對結電壓的影響，另外在高頻電壓的任一半周內，一個變容管寄生電容增大，而另一個減少，使結電容的變化不對稱性相互抵消，從而消弱寄生調製。仿真休息1休息2C1C2L1C3Cj1Cj2C1C3