微机原理第五章半导体存储器.pptVIP

第五章半导体存储器*掩膜ROM内容只能读出，不能改变.半导体厂家用掩膜技术写入程序成本低，适用于批量生产不适用研究工作PROM可编程ROM内容只能读出，不能改变.用户使用特殊方法进行编程，只能写一次，一次编程不能修改。适用于批量生产不适用研究工作EPROM光可擦除PROM固化程序用紫外线光照5～15分钟擦除，擦除后可以重新固化新的程序和数据。用户可以对芯片进行多次编程和擦除。适用于研究工作不适用于批量生产。E2PROM电可擦除PROM实现全片和字节擦写改写。作为非易失性RAM使用。集成度和速度不及EPROM，价格高，擦写在原系统中在线进行。FlashMemory闪速存储器可以整体电擦除（时间1S）和按字节重新高速编程。低功耗；编程快（每个字节编程100μs整个芯片0.5s）；擦写次数多（通常可达到10万）与E2PROM比较：容量大、价格低、可靠性高等优势。分类信息存取方式特点用途只读存储器ROM分类目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要的存储器第30页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器*5.4存储器芯片与CPU的连接5.4.1存储芯片的扩展5.4.2存储器芯片与CPU的连接如何用容量较小、字长较短的芯片组成微机系统所需容量和字长的存储器？第31页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器**用多片存储芯片构成一个需要的内存空间；各存储器芯片在整个内存中占据不同的地址范围；任一时刻仅有一片（或一组）被选中。存储器芯片的存储容量等于：单元数×每单元的位数字节数字长扩展单元扩展字长5.4.1存储芯片的扩展第32页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器*5.4.1存储芯片的扩展存储器的容量：字节数×字长位扩展字扩展（单元数）字位同时扩展第33页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器*5.4.1存储芯片的扩展位扩展（字长的扩展）【例1】用1K×4的2114芯片构成lK×8的存储器系统。分析：每个芯片只能提供4位数据，故需用2片这样的芯片，它们分别提供4位数据至系统的数据总线，以满足存储器系统的字长要求。设计要点：关键是处理好地址线、数据线、写信号线、片选信号线的连接。（1）地址线共用（至系统地址总线低10位）；（2）数据线分别接入系统数据总线的低4位和高4位；（3）端并在一起接至系统的存储器写信号；（4）端并在一起接至地址译码器输出。第34页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器*5.4.1存储芯片的扩展字扩展（字数的扩展）【例2】用2K×8的2716Ａ存储器芯片组成8K×8的存储器系统。分析：每个芯片只能提供2K个存储单元，故需用4片这样的芯片，以满足存储器系统的字数要求。（1）地址线共用（至系统地址总线低11位）；（2）数据线共用（至系统数据总线）；（3）端并在一起接至系统的存储器写信号；（4）端分别接至地址译码器的不同输出。设计要点：关键是处理好地址线、数据线、写信号线、片选信号线的连接。2716271627162716第35页，共53页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体存储器*5.4.1存储芯片的扩展字位同时扩展【练习】用1K×4的2114芯片组成2K×8的存储器系统。将上述两种方法结合使用，一般先扩展字长，在扩展字数。字长扩展字数扩展第36页，共53页，星期日，2025年，