TCASAS0152022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法.docxVIP

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团 体 标 准

T/CASAS015—2022

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）功率循环试验方法

Powercyclingtestmethodforsiliconcarbidemetal-

oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

版本：V01.00

2022-07-18发布 2022-07-18实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

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I

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目 次

前言 III

引言 IV

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

试验装置 2

试验步骤 3

试验方法 3

试验电路 3

试验夹具及安装 4

试验条件 4

试验设置 5

试验控制和测量 5

试验注意事项 5

终点测量 5

试验数据处理 6

试验报告 6

参考文献 7

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III

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前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所、比亚迪半导体有限公司、深圳基本半导体有限公司、上海精密计量测试研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：陈媛、贺致远、来萍、路国光、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利、乔良、徐瑞鹏。

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IV

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引 言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。

由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiCMOSFET器件的阈值电压??????(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法

范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiCMOSFET分立器件的功率循环试验。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管

T/CASA006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

JESD51—1集成电路热测量方法电气测试方法：单个半导体器件（Integratedcircuitsthermalmeasurementmethod–Electricaltestmethod(singlesemiconductordevice)）

术语和定义

T/CASA006—2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

结温junctiontemperature

??vj

器件中主要发热部分的半导体结的温度。

注：结温通