碳化硅量子点：制备工艺、特性分析与多元应用探索.docx

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2025-09-12 发布于上海
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碳化硅量子点：制备工艺、特性分析与多元应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学和应用领域的不断探索与发展中，碳化硅量子点作为一种极具潜力的新型纳米材料，正逐渐成为研究的焦点。碳化硅（SiC）本身是一种宽带隙半导体材料，具有出色的物理和化学性质，如高硬度、高热导率、良好的化学稳定性以及高电子迁移率等，这些特性使得碳化硅在电子、能源、机械等众多领域展现出独特的应用价值。而当碳化硅的尺寸被减小到量子尺度，形成碳化硅量子点时，量子限域效应和表面效应等量子特性开始显现，赋予了碳化硅量子点一系列与体相碳化硅截然不同的光学、电学和化学性质，为其在更广泛领域的应用开拓了新的可能性。

从光学性质