电沉积纳米孪晶铜镀层制备及其超声固相键合接头性能.pdfVIP

摘要

随着经济水平和科学技术的不断进步，人类社会向着智能化和信息化的方

向快速发展，先进封装被认为是最有希望实现微电子器件高密度集成的手段之

一。（111）择优取向纳米孪晶铜因其出色的性能而被认为是理想的封装键合材

料，但其常用的热压键合方式仍存在键合条件严苛的问题。超声固相键合可在

常温大气环境中进行，能自发破碎金属表面氧化膜，耗时较短，是实现纳米孪

晶铜室温高效键合的理想工艺。本研究探索了添加剂浓度和电流密度对电沉积

组织晶粒形貌、晶体取向和表面形貌的影响，并制备出可用于键合的纳米孪晶

铜镀层。随后，研究了超声固相键合过程中纳米孪晶铜接头形成过程和组织演

化规律。对比纳米孪晶铜与粗晶铜接头组织性能，分析研究纳米孪晶镀层对接

头力学性能的影响。

当添加剂浓度为10ppm至40ppm时，镀层内出现纳米孪晶组织，同时40

ppm时镀层表面堆叠有细密的层状结构。添加剂浓度从0ppm提升至80ppm，

镀层（111）相对织构系数先上升而后下降，峰值出现在20ppm时，为86.33%。

电流密度提高会使镀层内等轴晶占比增加并细化晶粒，镀层出现柱状晶向等轴

晶的演化趋势。电流密度降低会使镀层内等轴晶占比下降，强化镀层（111）织

构。电流密度从2ASD提升到8ASD，镀层（111）相对织构系数从71.22%下

降到27.25%。随着沉积时间延长，镀层表面（111）织构占比增强。在30ppm，

0.5ASD的工艺条件下镀层平均孪晶片间距为25.73nm，（111）相对织构系数

可达98.28%。

超声固相键合过程中，纳米孪晶铜首先在键合界面上部分区域发生连接，

产生局部少量再结晶。随后连接面积扩展，在界面上形成一层连续的再结晶晶

粒层。之后再结晶层向两侧扩展增厚，并进入晶粒长大、晶粒变形和再次再结

晶的动态组织演化过程。在超声作用下，纳米孪晶铜键合界面首先被整平并紧

密贴合。随后，在整平区中心形成焊合区，微焊点开始形成。之后，微焊点扩

展并发生更大范围的再结晶。最后，微焊点扩展为连续的键合平面。

纳米孪晶铜接头失效载荷随键合能量输入上升而上升的速率显著高于粗晶

铜。键合能量从200J提升至1400J，纳米孪晶铜在15psi键合压力下的失效载

荷增长速度是粗晶铜的260.32%，在30psi下是粗晶铜的141.51%。纳米孪晶铜

接头在高键合能量输入下较粗晶铜接头具有强化现象，且该强化现象随着键合

压力的降低而增大。在30psi下强化幅度为2.64%，在8psi下强化幅度为

26.75%。导致该现象的原因是纳米孪晶铜接头塑性变形向键合界面集中，超声

振动能量更集中作用在界面两侧晶粒的键合过程中。

关键词：纳米孪晶铜；超声固相键合；直流电沉积；声致塑性变形

Abstract

Withthecontinuousprogressofeconomyandscience,humansocietyisrapidly

developingtowardsintelligenceandinformationisation,andadvancedpackagingis

consideredasoneofthemostpromisingmeanstoachievehigh-densityintegration

ofmicroelectronicdevices.(111)-orientednanotwinnedcopperisconsideredtobe

anidealbondingmaterialforpackagingduetoitsexcellentproperties.However,the

commonlyusedthermalcompressionbondingmethodfornanotwinnedcooperasks

forseverebondingconditions.Ultrasonicweldingcanbecarriedoutatroom

temperatureinanatmosph