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硅基板上氧化锌纳米结构的构筑、特性解析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米技术的飞速发展，纳米结构材料因其独特的物理和化学性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学研究的热点之一。其中，氧化锌（ZnO）纳米结构由于其优异的性能，如宽带隙、高激子结合能等，在半导体、光电子、传感器、催化等领域备受关注。

氧化锌是一种直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，在室温下的禁带宽度为3.37eV，激子结合能高达60meV。这使得氧化锌在室温下能够产生强紫外辐射，其波长比计算机光刻存储所使用的波长短得多，因此在紫外光发光器件、光探测器等光电子领域具有潜在的应用价值。例如，可用