《半导体级超纯高浓度臭氧发生装置》征求意见稿.docx

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半导体级超纯高浓度臭氧发生装置

1范围

本文件规定了半导体级超纯高浓度臭氧发生装置的符号和缩略语、产品分类与型号、要求、接口与连接要求、试验方法、检验规则、标志、标签和使用说明、包装、运输和贮存等要求。

本文件适用于半导体制造原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、晶圆清洗、灰化、Hgh?K介电沉积等工艺；适用于平板显示(FPD):TFT-LCD、OLED面板制造中的清洗与蚀刻；不适用于空气源臭氧发生器、医疗消毒、水处理等非半导体级设备。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB4943.1信息技术设备安全第1部分：通用要求(包括)

GB/T15437环境空气臭氧的测定靛蓝二磺酸钠分光光度法

GB28232臭氧消毒器卫生要求孩

GB/T35804硫化橡胶或热塑性橡胶耐臭氧龟裂测定试验箱中臭氧浓度的试验方法

GB/T37894水处理用臭氧发生器技术要求准起

CJ/T322水处理用臭氧发生器

JB/T13567半导体设备用高纯气体管路技术规范

3术语和定义关系标

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

臭氧发生器ozonegenerator

一种通过介质阻挡放电技术将氧气转化为臭氧气体的设备。

3.2

高纯陶瓷放电技术high-purityceramicdischargetechnology

使用陶瓷材料作为放电介质的技术，避免金属离子污染。

3.3

双面放电技术double-sideddischargetechnology

在电极两侧同时进行放电以提高臭氧产出的技术。

3.4

siC-MOSFET

一种采用碳化硅材料的电源开关器件。

3.5

PFC

功率因数校正功能，用于优化电源效率和稳定性。

3.6

臭氧气体系统ozonegassystem

集成臭氧发生器、流量控制器和分析仪的系统，用于提供稳定臭氧气体供应。

3.7

DI03臭氧水系统DI03ozonewatersystem

一种将臭氧气体溶解于超纯水中形成臭氧水溶液的系统。

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3.8

气液混合技术gas-liquidmixingtechnology

将气体与液体高效混合的方法。

3.9

消泡技术defoamingtechnology

在混合过程中去除多余气泡的技术。

3.10

无轴全氟增压泵shaftlessfluorinatedboosterpump

一种无轴设计、全氟材料制造的泵，用于高压输送液体。

3.11

功能水设备functionalwaterequipment

用于混合超纯水与C02以调整水电阻率的设备。

3.12

臭氧破坏器ozonedestructor

一种催化分解多余臭氧气体以确保安全排放的设备。

3.13

加热催化一体式臭氧破坏器heatingcatalyticintegratedozonedestructor

结合加热和催化剂以加速臭氧分解的设备。

3.14

ALD薄膜沉积ALDthinfilmdeposition

原子层沉积工艺，用于在半导体表面沉积薄膜。

3.15

灰化ashing

通过氧化反应去除材料(如光刻胶)的工艺。

3.16

晶圆清洗wafercleaning

清洁半导体晶圆表面的工艺。

3.17

浓度concentration

臭氧在气体或水中的含量度量。

3.18

流量flowrate

气体或液体在单位时间内通过某一点的体积或质量。

3.19

电阻率resistjvity

表征水导电性能的物理量。

4符号和缩略语

4.1计量单位符号

本文件涉及的计量单位符号主要用于描述气体、液体的物理特性参数和系统运行状态，均采用国际通用符号表示。

表1计量单位符号

符号

应用场景说明

slm

用于表示气体在标准状态(0°C,101.325kPa)下的体积流量。例如臭氧发生器的气体流量范围表

述为0.5-50slm,表示设备每分钟可输送0.5至50升标准状态气体。

lpm

用于表示液体的体积流量。例如臭氧水系统的处理能力表述为2-65lpm,表示设备每分钟可处理

2至65升液体。

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6一般要求

6.1设计原则要