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InN薄膜三维生长机制及其对材料特性影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，InN薄膜以其独特的物理性质和卓越的应用潜力，成为了科研领域中备受瞩目的焦点。作为III-N族化合物半导体的重要成员，InN具有直接带隙结构，这一特性使其在光电子转换过程中能够高效地实现电子与光子的相互作用，为光电器件的发展提供了坚实的基础。其带隙能量处于一个特殊的范围，约为0.7-1.1eV，与其他常见半导体材料的带隙形成了鲜明的对比，这种独特的带隙特性使得InN在特定波长的光电器件应用中展现出无可替代的优势。

从电子输运特性来看，InN更是表现出色。理