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ASIC设计层次
系统级
宏单元级
模块级
基本单元级
晶体管级
对应的神经学层面神经网络
神经元
离子电流
模型运算
图2.9神经网络IC的设计流程
神经元1的验证
激活去激活激活动力学去激活动力学功率输出水平
钠离子
钠离子钾离子 漏电突触1突触2
神经元2的验证
激活去激活
钠离子钾离子漏电
慢电导1突触1
激活动力学去激活动力学功率输出水平
图2.10两个神经元的生物学验证项目
2.1.4神经网络IC实例
本节给出四个不同的神经网络ASIC实例[2.173,分为两类：第一类对应于时间尺度，生物模型和硬件模型具有统一的时序；第二类ASIC的基本模块是离子电流发生器，用于完成HH模型计算。
这四个ASIC实例使用CMOS制造工艺(CMOS0.6μm,BiCMOS0.8μm,BiCMOS
0.35μm),采用全定制方法完成布局布线，实现的神经元模型的参数可调整，所有前端(电原理图、仿真)和后端(版图、验证)的设计与验证都用CadenceCAD软件工具完成。
固定模型参数的亚阈值CMOSASIC
第一款神经网络ASIC命名为Delphine。它基于标准CMOS工艺设计，使用了工作在弱反型区的亚阈值MOS晶体管。CMOS电路的好处是集成度高且功耗低，可在一个芯片上集成更多的人工神经元，而亚阈值设计的好处是片上的电压、电流水平与生物神经元中的水平几乎相同。
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该芯片含有两个神经元离子电流发生器，分别对应于Na+和K+,其中一个也被用作突触电流发生器。离子电流的计算采用HH模型公式：
I1oN=8maxmth?(Vmem—Vequi)(2.12)
式中，Io是通过特定离子通道的电流，gmax是最大电导，m(打开/激活)和h(关闭/去激活)是描述这个离子通道电导率的动态函数，Veoui是平衡电势，Vmem是膜电位，p和q是指数因子。针对每个离子电流都要设置参数(gmax,Vequi,Voffsetm,Vslopem,Tm,p,Voffseth,Vslopeh,Th,q),对应于外部加在芯片管脚上的电压值。神经膜电位的范围为—100～+100mV,离子电流在nA量级。利用亚阈值MOS管的跨导特性来实现类S函数或乘法等复杂运算。
样片基于0.6μmCMOS工艺设计，采用全定制布线，在AMS(AustriaMicrosystem)公司流片。片上嵌入了测试管脚，以便获得中间测试点。利用MonteCarlo仿真来优化晶体管的长度，在版图失配效应和芯片尺寸之间取折中。由于神经元活动只在低频下进行，因此开关频率的选择并不重要。多数晶体管为长度1.2μm的PMOS管，衬底偏压VBs设为0,以避免体—源效应对阈值电压的影响。所有电流镜为共源共栅型，以减少单个晶体管的VDs值，并限制VDs随漏电流的变化。
图2.11是该芯片的实物照片，其中标出了不同的模块。整个芯片带pad的面积为1.75mm×1.75mm,电源电压Vcc=3.3V,实测功耗小于60μW,属于微功耗芯片。
积分器电源管理
放大器乘法器S函数运算器
图2.11Delphine芯片的版图照片
用该芯片仿真的具有两个离子电流的放电人工神经元的结构如图2.12所示。两个离子电流分别对应于Na通道和K通道。实现的Na电流动力学包括激活和闲置过程，K电流动力学仅包括激活过程。该芯片为每个神经元集成了一个单突触。
该芯片的输出是在33Hz频率下放电的膜电位Vmem,如图2.13所示，已经非常接近但并不完全等于理论模型所预测的输出。在单周期下，三个不同的阶段可以用动作电位来
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区分：Na激活(阶段1)使神经元去极化；Na闲置和K激活(阶段2)使神经元高度极化；渗漏电流(阶段3
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