第七章光伏探测器讲课文档.ppt

第七章光伏探测器第1页，共51页。

第五章光伏探测器情况1：不均匀半导体PN结：同质掺杂异质结：不同质的半导体肖特基势垒：金属和半导体内在电场：光→半导体→电子空穴对运动→积聚→电位差情况2：均匀半导体体积光生伏特效应，没有内电场。光→半导体的一部分→电子空穴对→浓度不同→扩散→扩散速度不同→电荷分开→光生电伏（丹信效应）电子空穴对两种电荷分开→（光磁电效应）丹信效应体积光生伏特效应光磁电效应第2页，共51页。

第五章光伏探测器一、由势垒效应产生的光生伏特效应图5-1(a)势垒形成图(b)能级图当光照时，在p，n和势垒区产生光生载流子。P中电子，N中空穴，只要扩散长度大于到阻挡层距离，成为少子在电场中加速到对方→降低了阻挡层的势垒→有外电路→电流流过。第3页，共51页。

第五章光伏探测器公式推导：经5.1-1-5:pn结反向饱和电流（pn结的伏安特性）:光生电流：和入射单色辐射的功率P有关系:(由量子效率的定义）pn结伏安特性在V=0处的动态电阻：电压响应率:第4页，共51页。

第五章光伏探测器二、由光生载流子浓度梯度引起的光生伏特效应对于均匀的半导体：光→半导体:表面:浓度高体内:浓度低载流子沿光照方向体内扩散：一般：电流方向和光照方向相反→形成光生电场→少子的漂移运动总电流密度：第5页，共51页。

第五章光伏探测器平衡时：此时5.1-14式=0于是：积分：结论：和成正比，只有时才可以产生光生伏特效应。②小信号时：大信号时：③均匀半导体放于磁场中，将会产生空穴和电子分离，引起光磁电效应。由此产生的光生载流子短路电流：第6页，共51页。

第五章光伏探测器图5-3用途：⑴测量载流子的寿命⑵用作红外探测器⑶需要大磁铁⑷在相当大的光强度范围内，开路电压和光强度成正比第7页，共51页。

第五章光伏探测器三、光照下理想p-n结方程及特性曲线由固体物理可知：p-n结上的电压V和流过它的电流Ip的伏安特性：光照时光电流：流过p-n结外回路的总电流I：分析：见图5-4第8页，共51页。

第五章光伏探测器情况1：第一象限：p-n结加正偏压。此时pn结的暗电流ID即是p-n结的正向电流，很大，大于光生电流，非工作区。第三象限：p-n结反偏。第9页，共51页。

第五章光伏探测器一、响应率在弱光照射情况下，上式可近似为将光电流代入得反向饱和电流为由此可知，光伏探测器的响应率与器件的工作温度T及少数载流子浓度和扩散有关，而与器件的外偏压无关，这与光电导探测器是不同的。§5-2光伏探测器的性能参数第10页，共51页。

第五章光伏探测器二、噪声光伏探测器的噪声主要包括器件中光生电流的散粒噪声、暗电流噪声和器件的热噪声，其均方噪声电流为光电流和暗电流引起的散粒噪声是主要的第11页，共51页。

第五章光伏探测器1.无光照时2.有光照时流过p-n结的电流有。总的噪声电流均方值为有弱光照射时，有则当光伏探测器工作于负偏压时，，则第12页，共51页。

第五章光伏探测器引入无光照时零偏电阻其定义为或器件的零偏电阻越大，暗电流越小，对散粒噪声贡献也越小第13页，共51页。

第五章光伏探测器考虑到实际探测器系统中负载电阻对噪声的贡献，所以噪声等效电路通常应包含散粒噪声和负载电阻的热噪声第14页，共51页。

第五章光伏探测器三、比探测率（1）零偏压工作时（2）反偏压工作时第15页，共51页。

第五章光伏探测器四、光谱特性第16页，共51页。

第五章光伏探测器五、频率响应及响应时间光伏探测器的频率响应主要由三个因素决定：1.扩散时间2.耗尽层中的漂移时间3.结电容的影响第17页，共51页。

第五章光伏探测器光伏探测器总的响应时间为由等效电路可求得负载电阻上的输出电压为相应的电压有效值为可见输出电压随着频率增高而下降，当时，电压幅值下降为最大值的0.707，此时对应的频率又称为高频截止频率或3dB频率，同光电导探测器一样，其相应的可表示为第18页，共51页。

第五章光伏探测器六、温度特性第19页，共51页。

第五章光伏探测器§5-3光电池与光电二极管一、光电池第20页，共51页。

第五章光伏探测器1.光电