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ICS31.080
L40/49
团体标准
T/IAWBS025-2025
碳化硅器件功率循环试验方法
Powercyclingtestmethodsforsiliconcarbide
powerdevices
2025-09-24发布2025-10-10实施
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBS025—2025
目次
前言I
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4文字符号2
5SiCMOSFET温敏参数选择与标定2
6SiCMOSFET器件加热模式2
6.1通则2
6.2正向沟道加热模式2
6.3反向沟道加热模式3
6.4体二极管加热模式3
7试验设备4
8试验程序4
8.1SiCMOSFET器件试验程序4
8.2SiC二极管器件试验程序5
8.3SiCMOSFET及SiC二极管混合器件试验程序5
9试验条件5
10试验测量5
11失效判据5
12检测报告中应给出的信息6
I
T/IAWBS025—2025
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草
规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟提出并归口。
本文件起草单位：中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、
华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
本文件主要起草人：张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨。
本文件为首次发布。
II
T/IAWBS025—2025
碳化硅器件功率循环试验方法
1范围
本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。
本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiCMOSFET)、碳化硅(SiC)二极管以及二者混
合封装器件的测试。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文
件。
GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检
GB/T4937.34-2024半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环
GB/T4937.35半导体器件机械和气候试验方法第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查
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