半导体物理(第三章).pptVIP

已学过的两套求解载流子浓度的公式：第30页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度3.4.1杂质能级的占据几率●能带中的电子是作共有化运动的电子,它们的运动范围延伸到整个晶体,与电子空间运动对应的每个能级,存在自旋相反的两个量子态.由于电子之间的作用很微弱,电子占据这两个量子态是相互独立的.能带中的电子在状态中的分布是服从费米分布的.●在杂质上的电子态与上述情形不同,它们是束缚在状态中的局部化量子态.以类氢施主为例,当基态未被占据时,由于电子自旋方向的不同而可以有两种方式占据状态,但是一旦有一个电子以某种自旋方式占据了该能级,就不再可能有第二个电子占据另一种自旋状态.因为在施主俘获一个电子之后,静电力将把另一个自旋状态提到很高的能量,(因为电子态是局域化的，电子间相互作用很强），基于上述由自旋引起的简并,不能用费米分布函数来确定电子占据施主能级的几率.第31页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度杂质能级上电子和空穴的占据几率⑴施主能级的两种状态：被电子占据，对应施主未电离；不被电子占据，对应施主电离态。施主能级Ed被电子占据的几率fD(E)（施主未电离几率）施主能级Ed不被电子占据即施主电离的几率为(施主电离态)第32页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度受主能级被空穴占据即受主未电离几率fA(E)受主能级不被空穴占据即受主电离几率(受主电离态)（2）受主能级的两种状态：未被电子占据，相当于被空穴占据，即受主未电离；被电子占据，相当于失去空穴，即受主电离态。第33页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度⑶施主能级上的电子浓度nD为施主上有电子占据时,它们是电中性的,所以nD也就是中性施主浓度(或称未电离的施主浓度).电离施主浓度,也就是能级空着的施主浓度（正电中心浓度）,可以写为第34页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度⑷受主能级上的空穴浓度pA为受主上没有接受电子时,它们是电中性的,所以pA也就是中性受主浓度(或称未电离的受主浓度).电离受主浓度,也就是能级被电子占据的受主浓度,可以写为式中gd是施主能级的基态简并度，gA是受主能级的基态简并度，通常称为简并因子，对硅、锗、砷化镓等材料，gd=2，gA=4返回第35页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度只含一种施主杂质的N型半导体(其能级分布如图所示)中，除了电子由价带跃迁到导带的本征激发之外，还存在施主能级上的电子激发到导带的过程，即杂质电离.·○·○·○··○·○·只含一种施主杂质的半导体ECEdEV本征激发：Eg杂质电离：EI多子：电子少子：空穴3.4.2n型半导体的载流子浓度第36页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度杂质电离和本征激发是发生在不同的温度范围.在低温下，主要是电子由施主能级激发到导带的杂质电离过程.只有在足够高的温度下,本征激发才成为载流子的主要来源.若同时考虑本征激发和杂质电离,电中性条件为：（单位体积中的）负电荷数＝正电荷数所以理论上从上式中可以解出费米能级，但形式比较复杂，下面分不同温度范围进行讨论：第37页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度⑴低温弱电离（温度很低时T数K，只有很少量施主杂质发生电离，这少量的电子进入导带，这种情况称为弱电离）在温度很低的情况下，没有本征激发存在，电中性条件简化：则由此可以看出：①绝对零度（T＝0K）时,EF位于导带底和施主能级的中央.②在足够低的温度区（几K时），当2NCND时，随着温度的增加，EF起初逐渐上升，并达到一个极大值，然后开始下降．当2NC=ND时，它又重新下降到绝对零度的值．③温度继续升高，在2NCND的温度区，EF继续下降．返回——低温弱电离区费米能级第38页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.4杂质半导体的载流子浓度把得出的费米能级EF代入导带电子浓度公式得导带电子浓度为其中△ED=EC-Ed是施主电离能．返回在弱电离范围内，利用实验上测得的n0(T)，作出半对数由直线的斜率可以确定施主