氮化镓衬底上β-Ga₂O₃外延薄膜的制备工艺与性能调控研究.docxVIP

氮化镓衬底上β-Ga?O?外延薄膜的制备工艺与性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的不断演进历程中，氮化镓（GaN）和β-氧化镓（β-Ga?O?）作为极具潜力的新型材料，正逐渐成为研究的焦点。氮化镓凭借其宽禁带、高电子迁移率以及良好的热导率等特性，在高频、高效功率转换以及光电器件等领域展现出独特优势，已广泛应用于5G通信基站的射频功率放大器，显著提升信号传输效率；在新能源汽车的充电桩和车载充电器中，也发挥着关键作用，实现高效的电能转换。

而β-Ga?O?作为一种超宽禁带半导体材料，拥有高达4.8-4.9eV的带隙宽度，是目前已知的最宽的半导体带隙之一。这一特性赋予其更高的击穿电场强度和更低的导通电阻，使其在高功率应用中具备巨大潜力。其良好的热稳定性，能够承受高达1000℃以上的温度，为高温电子学领域提供了理想的材料选择。同时，β-Ga?O?还可通过低成本的熔体生长法、化学气相沉积法等方法制备，相比其他一些半导体材料，制备工艺更加简单且成本更低，这为其大规模应用提供了有力的成本优势。

在氮化镓衬底上生长β-Ga?O?外延薄膜的研究，具有重要的科学意义和实际应用价值。从科学研究角度来看，两种材料在晶体结构、晶格常数以及热膨胀系数等方面存在差异，研究它们之间的异质外延生长过程，能够深入了解材料界面的原子排列、应力分布以及电子结构等特性，为异质结材料的基础理论研究提供丰富的数据和理论支持。通过精确控制生长工艺，实现高质量的β-Ga?O?外延薄膜生长，对于探索新型半导体材料体系的性能调控机制具有重要意义，有助于推动半导体材料科学的进一步发展。

在实际应用方面，氮化镓衬底上的β-Ga?O?外延薄膜有望集成两种材料的优势，为高性能器件的研发开辟新途径。在高功率电子器件中，利用β-Ga?O?的高击穿电场强度和低导通电阻，结合氮化镓的良好热导率和高电子迁移率，能够显著提高器件的功率密度和转换效率，降低能量损耗，满足新能源汽车、智能电网以及工业自动化等领域对高效、高功率电子器件的迫切需求。在日盲紫外探测器领域，β-Ga?O?的宽禁带特性使其对日盲紫外波段（200-280nm）的光具有强烈吸收，基于氮化镓衬底的β-Ga?O?外延薄膜制备的探测器，有望实现更高的探测灵敏度和更低的暗电流，在军事侦察、环境监测、生物医学检测以及天文学观测等领域具有广泛的应用前景。

1.2β-Ga?O?材料的性质与应用

1.2.1β-Ga?O?的结构性质

β-Ga?O?属于单斜晶系，空间群为C2/m。其晶体结构中，氧原子形成扭曲的八面体配位环境，镓原子则填充在这些八面体的间隙位置。这种独特的原子排列方式赋予β-Ga?O?诸多优异的性能。从晶体结构角度来看，β-Ga?O?的结构稳定性源于其原子间的化学键能和晶体结构的对称性。在β-Ga?O?晶体中，Ga-O键具有较强的离子键成分，这种化学键的特性使得β-Ga?O?具有较高的硬度和热稳定性。晶体结构的对称性也对其物理性质产生重要影响，例如，其晶体结构的对称性决定了其在光学和电学性质上的各向异性。

β-Ga?O?的结构对其性能有着显著影响。在电学性能方面，晶体结构中的原子排列方式决定了电子的能带结构。β-Ga?O?的宽禁带特性，使得其电子从价带激发到导带需要较高的能量，这导致其具有较高的电阻率和低的本征载流子浓度，使其在高温和高电压环境下能够保持稳定的电学性能。在光学性能方面，晶体结构的周期性和原子间的相互作用决定了β-Ga?O?对光的吸收和发射特性。由于其宽禁带，β-Ga?O?对可见光具有较高的透明度，而对紫外光具有强烈的吸收，这使得它在日盲紫外探测器等光电器件中具有重要应用。

1.2.2β-Ga?O?的光学和电学性质

β-Ga?O?具有直接带隙，其带隙宽度约为4.8-4.9eV，对应于日盲紫外波段的光吸收。这种宽禁带特性使得β-Ga?O?在日盲紫外探测器领域具有独特的优势。当β-Ga?O?吸收日盲紫外光时，光子能量能够激发价带中的电子跃迁到导带，产生电子-空穴对，从而实现光信号到电信号的转换。由于其带隙较宽，对可见光的吸收较弱，因此在探测日盲紫外光时，能够有效减少背景光的干扰，提高探测的灵敏度和信噪比。

β-Ga?O?的击穿场强高达8MV/cm以上，这意味着它能够承受极高的电场强度而不发生击穿。这一特性使得β-Ga?O?在高功率电子器件中具有重要应用价值。在高功率应用中，器件需要承受高电压的作用，β-Ga?O?的高击穿场强能够保证器件在高电压下稳定工作，减少器件的击穿风险，提高器件的可靠性和寿命。β-Ga?O?的电子迁移率相对较低，约为10-30cm2/Vs，这在一定程度上限制了其在高频应用中的性能。然而，通过材料掺