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量子微纳结构中弹道电子Goos-Hanchen位移调制与自旋分离的机制及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的迅猛发展，量子微纳结构已成为现代物理学和材料科学领域的研究焦点。在过去几十年里，半导体制造工艺取得了巨大进步，使得集成光学、大规模集成电路中的器件特征尺寸不断缩小，如今已接近纳米量级。当器件尺寸进入纳米尺度，电子的波动性愈发显著，其工作原理也发生了根本性的转变，从传统的粒子行为主导转变为量子力学规律起关键作用。这一转变促使科学家们深入研究量子微纳结构中电子的行为，因为它不仅是理解微观世界物理现象的基础，更是推动高新技术和信息产业进一步发展的重要基石。

在量子微纳结构中，