第3章 半导体二极管及其基本电路.pptVIP

Uon:0.5V(硅管)0.1V(锗管)外加电压大于开启电压二极管才能导通。U:0.6~0.8(硅)0.1~0.3(锗)UIPN–+iD=00?U?UonU?UoniD急剧上升开启电压Uon导通压降U1.正向特性第29页，共56页，星期日，2025年，2月5日外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。UIPN+–开启电压Uon导通压降U反向饱和电流Is反向击穿电压U(BR)2.反向特性第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日反向击穿类型：电击穿热击穿反向击穿原因：齐纳击穿：(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压6V，负温度系数)雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁。(击穿电压6V，正温度系数)击穿电压在6V左右时，温度系数趋近零。第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日温度对二极管特性的影响604020–0.0200.4–25–50iD/mAuD/V20?C90?CT升高时，UD(on)以(2?2.5)mV/?C下降T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移T2T1T2T1第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。二极管的单向导电性第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日1.最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向工作峰值电压URM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.反向峰值电流IRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。iDuDU(BR)IFURMO三、二极管的主要参数第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日在规定的正向电流下，二极管的正向压降，既导通电压。通常情况下：4.正向压降UF第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日影响工作频率的原因—PN结的电容效应结论：1.低频时，因结电容很小，对PN结影响很小。高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日1）理想二极管特性uDiD符号及等效模型SS正偏导通，uD=0；反偏截止，iD=0U(BR)=?1.理想二极管及二极管特性的折线近似§3.4二极管基电路及其分析方法第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7V(Si)0.3V(Ge)2）二极管的恒压降模型恒压降模型，指二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化。

硅二极管为0.7V，锗二极管为0.3V。在实际应用中，此模型应用非常广泛第38页，共56页，星期日，2025年，2月5日uDiDUD(on)?U?I斜率1/rDrD1UD(on)3）二极管的折线近似模型第39页，共56页，星期日，2025年，2月5日UD(on)硅二极管，R=2k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。例1理想模型恒压降模型第40页，共56页，星期日，2025年，2月5日点击此处结束放映点击此处结束放映第1页，共56页，星期日，2025年，2月5日§3.1半导体的基本知识一、半导体材料二、半导体的共价键结构三