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大疆硬件工程师笔试题（附答案）

一、基础知识题（每题5分，共30分）

1.简述运算放大器的共模抑制比（CMRR）的定义及其对电路性能的影响。

答案：共模抑制比（CMRR）定义为差模电压增益（Ad）与共模电压增益（Ac）的比值，通常用分贝（dB）表示，即CMRR=20lg|Ad/Ac|。CMRR反映运放抑制共模信号（如电源噪声、地电位差）的能力。CMRR越高，电路对共模干扰的抑制能力越强，输出信号中的共模噪声越小，尤其在差分放大、仪表放大等场景中，高CMRR能显著提升信号精度。

2.数字电路中，“竞争-冒险”现象是如何产生的？常用的消除方法有哪些？

答案：竞争-冒险是由于门电路的输入信号经过不同路径传输时产生的时间差（延迟），导致输出端出现短暂的错误脉冲（毛刺）。产生条件是当输入信号的变化导致多个变量同时改变状态时，若各变量到达门电路的时间不一致，可能引发竞争。消除方法包括：（1）引入选通脉冲，仅在信号稳定时采样；（2）增加冗余项，修改逻辑表达式消除临界竞争；（3）输出端并联小电容（约几十皮法），滤除高频毛刺；（4）使用边沿触发的触发器代替电平触发电路。

3.某12位ADC的参考电压为3.3V，满量程输入范围为0~3.3V，求其分辨率和能够分辨的最小输入电压变化量。

答案：分辨率为2^12=4096个量化等级。最小分辨电压=参考电压/（2^N-1）≈3.3V/(4096-1)≈0.806mV。实际工程中常简化为3.3V/4096≈0.805mV，两者差异可忽略。

4.在PCB设计中，为什么高频信号走线需要考虑特性阻抗匹配？常用的阻抗控制方法有哪些？

答案：高频信号（如GHz级时钟、高速差分信号）的波长与走线长度可比，若阻抗不匹配，会导致信号反射，引起振铃、过冲等问题，影响信号完整性。特性阻抗匹配可确保信号能量最大限度传输到负载，减少反射。常用控制方法：（1）根据传输线模型（如微带线、带状线）计算阻抗，调整线宽、介质厚度、介电常数；（2）差分对走线等长、平行且间距一致，控制差分阻抗；（3）使用阻抗计算工具（如PolarSi9000）辅助设计；（4）电源/地平面保持完整，减少阻抗突变。

5.简述开关电源中电感的作用，并说明如何根据输入输出参数选择电感值。

答案：开关电源（如Buck变换器）中，电感的主要作用是储能和滤波：当开关管导通时，电感存储能量（电流线性上升）；开关管关断时，电感释放能量（电流线性下降），配合电容平滑输出电压。电感值选择需考虑：（1）输入电压（Vin）、输出电压（Vout）、开关频率（f）；（2）允许的电感纹波电流（ΔI），通常取输出电流（Io）的20%~40%；（3）计算公式：L=(Vin-Vout)×D/(f×ΔI)，其中D为占空比（D=Vout/Vin）。例如，Vin=12V，Vout=5V，f=500kHz，ΔI=0.4A，则D=5/12≈0.417，L=(12-5)×0.417/(500e3×0.4)≈14.6μH，取标称值15μH。

6.分析PN结正向导通时的电流组成，并解释为什么正向电流随温度升高而增大。

答案：PN结正向导通时，电流主要由多子的扩散运动形成，包括P区空穴向N区扩散和N区电子向P区扩散的电流。温度升高时，本征载流子浓度（ni）指数增长，导致多子浓度略有增加（但主要影响来自少子），同时势垒高度（qφ/kT）降低，正向偏置下扩散电流的表达式为I=Is(e^(qV/(kT))-1)，其中反向饱和电流Is与ni2成正比（Is∝ni2）。温度每升高10℃，ni约翻倍，因此Is指数增长，即使正向电压V不变，正向电流I也会显著增大。

二、电路分析题（每题15分，共30分）

1.图1所示为共射极放大电路，参数如下：VCC=12V，RB1=47kΩ，RB2=10kΩ，RE=2kΩ，RC=3kΩ，β=100，VBE=0.7V，C1、C2、CE为耦合电容（容量足够大，视为交流短路）。要求：

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出微变等效电路，计算电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

答案：

（1）静态分析：

基极偏置电压UBQ≈RB2/(RB1+RB2)×VCC=10/(47+10)×12≈2.105V

发射极电压UEQ=UBQ-VBE=2.105-0.7=1.405V

发射极电流IEQ=UEQ/RE≈1.405V/2kΩ≈0.7025mA

由于β=100，IBQ=IEQ/(β+1)≈0.7025mA/101≈6.95μA（或近似ICQ≈IEQ≈0.7025mA）

集电极电压UCQ=VCC-ICQ×RC=12-0.7025×3≈12-2.1075≈9.8925V