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碳化硅单晶片残余应力测试光弹法标准立项报告

摘要

本报告旨在阐述制定碳化硅单晶片残余应力光弹法测试标准的目的意义、适用范围及主要技术内容。碳化硅作为新一代功率半导体关键材料，其质量直接影响下游应用性能。残余应力是导致晶片缺陷的核心因素之一，当前国内缺乏统一的量化测试标准。本项目拟通过光弹法建立无损、定量的残余应力检测方法，填补技术标准空白，提升我国碳化硅材料的产品一致性和国际竞争力，支撑宽禁带半导体产业的高质量发展。

要点列表

-战略重要性：碳化硅被列为国家十四五重点支持的宽禁带半导体材料，是5G、新能源等产业的核心基础。

-问题导向：残余应力易引发晶片形变、微裂纹、位错等缺陷，制约外延和器件良率。

-方法创新：采用光弹法利用应力双折射效应实现无损、全口径定量测试。

-标准空白填补：国内首次针对碳化硅单晶片残余应力量化测试制定标准。

-应用范围：适用于表面粗糙度Ra≤10nm的4H/6H-SiC单晶片。

目的意义

碳化硅作为第三代半导体材料的代表，因其高禁带宽度、高导热性等优异特性，成为电动汽车、轨道交通、5G通信等战略性产业的关键材料。全球主要发达国家均将碳化硅纳入国家战略布局，我国在十三五至十四五期间持续强化对其的政策支持，明确将宽禁带半导体列为实现半导体产业弯道超车的重要方向。国家层面及多地政府相继出台政策，推动碳化硅材料的技术攻关与产业化进程。

随着下游应用对碳化硅单晶片质量要求的提升，残余应力问题日益凸显。在衬底加工过程中，残余应力分布不均会导致晶片面型弯曲、翘曲及表面微裂纹；在长晶阶段，热应力积累可能诱发刃位错、螺位错等缺陷。这些应力相关缺陷会延伸至外延和器件制造环节，降低产品良率与可靠性。当前行业缺乏统一的残余应力量化检测标准，制约了材料质量的精准控制与产业协同发展。

本项目通过光弹法建立碳化硅单晶片残余应力的标准化测试方法，基于单轴晶体的光学特性：无应力时沿光轴（C轴）无双折射现象，而应力会引发光程差变化。通过测量偏振光场中的双折射效应，可实现残余应力的无损定量分析。该标准的制定将规范测试流程，提升材料品质一致性，增强我国碳化硅产品在国际市场的竞争力，为产业链整体技术升级提供支撑。

范围和主要技术内容

范围：本标准适用于表面粗糙度Ra≤10nm的4H-SiC和6H-SiC单晶片的残余应力无损定量测试，规定了光弹法的基本原理、设备要求、操作流程及数据解析规范。

主要技术内容：

1.方法原理：利用碳化硅单晶的光学各向异性特征，当晶片置于准直偏振光场时，内部残余应力会导致双折射现象，产生与应力大小成正比的光程差。通过精确测量光程差，可反演计算残余应力值。

2.测试系统要求：包括偏振光源、准直系统、样品架、检偏器及光程差测量模块，需确保光路稳定性与测量精度。

3.标准化流程：涵盖样品制备、校准程序、光场调整、数据采集及应力分布映射步骤，强调对全口径应力均匀性的量化表征。

4.数据处理规范：定义光程差与应力值的换算公式，建立应力分布图生成标准，明确异常区域判定阈值。

5.不确定度分析：针对材料光学均匀性、表面粗糙度、设备误差等因素提出误差控制要求。

结论

制定碳化硅单晶片残余应力光弹法测试标准是响应国家半导体战略、突破产业技术瓶颈的关键举措。该标准通过无损、定量化的检测手段，为碳化硅材料质量控制提供了可靠技术依据，将有效促进上下游产业协同，推动我国宽禁带半导体行业向高端化、标准化发展。建议加快标准立项与研制进程，尽早形成行业规范，助力碳化硅产业链整体竞争力提升。