APCVD法制备硅化钛薄膜与纳米线：结构、性能及形成机制探究.docx

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2025-09-28 发布于上海
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APCVD法制备硅化钛薄膜与纳米线：结构、性能及形成机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与技术的迅猛发展进程中，硅化钛（TiSi?）材料以其独特且卓越的物理化学性质，在众多关键领域展现出了极为广阔的应用潜力，吸引了科研人员的广泛关注。

从晶体结构的角度来看，硅化钛通常呈现出四方晶系的晶体结构，这种有序的原子排列方式赋予了它一系列优异的电学性能。在电学特性方面，硅化钛具备较低的电阻率，一般可达到微欧?厘米量级，这使得它在电子器件中能够有效地降低电阻，减少能量损耗，提高电子传输效率。例如在集成电路中，当金属布线与硅基半导体接触时，硅化钛能够形成低电阻的欧姆接触，大大提高了电