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摘要
陶瓷介质、金属电极和外部绝缘封装材料的交汇处（即三相点）是高压陶瓷
电容器的一个重要的结构特征。三相点处局部电场集中诱发的沿面闪络是高压陶
瓷电容器绝缘性能失效的根本原因。本论文将高压半导化复合材料引入高压陶瓷
电容器封装领域，通过调节封装材料漏电流和电导率的方法，即采用低电压绝缘、
高电压呈非线性电导特性的复合材料绝缘封装陶瓷介质，降低三相点处电场集中
现象。论文工作采用实验与仿真相结合的研究方法，通过实验方法制备Zn基高压
半导化复合材料，然后采用多物理场仿真软件构建电容器物理模型
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