第1章 半导体中的电子状态.pptVIP

价带内k态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以相同k状态的电子速度v（k）运动时所产生的电流。这个带正电的准粒子就是空穴。在填入这个电子后，该价带又成了满带，总电流密度应为零，即第61页，共96页，星期日，2025年，2月5日半导体中的载流子：能够导电的自由粒子电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位导带价带EgEcEv++++－－－－第62页，共96页，星期日，2025年，2月5日2.半导体中空穴的状态空穴的波矢kp和速度假设价带内失去一个ke态的电子，而价带中其它能级均有电子占据， 电子波矢总和∑‘k=kp空穴波矢空状态中填入一个电子形成满带时：∑＇k+ke=0∑’k=－ke∴空穴的波矢kp=-ke第63页，共96页，星期日，2025年，2月5日速度v价带所有电子形成的总电流密度为J即为空穴形成的电流密度，那么：第64页，共96页，星期日，2025年，2月5日空穴的能量○●EcEvE(ke)△E电子能量空穴能量第65页，共96页，星期日，2025年，2月5日空穴的有效质量记为mp*，令在价带顶：在价带顶附近空穴的有效质量为正的恒量空穴运动的加速度:空穴的有效质量和加速度电子的有效质量me*在价带顶：0第66页，共96页，星期日，2025年，2月5日空穴的波矢kP、能量E(kp)、有效质量m*p及加速度：2.半导体中空穴的状态第67页，共96页，星期日，2025年，2月5日§1-5半导体的能带结构掌握硅、锗的能带结构特点掌握砷化镓的能带结构特点间接带隙半导体直接带隙半导体第68页，共96页，星期日，2025年，2月5日3.半导体电子状态与能带布里渊区波函数——描述微观粒子的状态薛定谔方程——决定微观粒子运动的方程E(k)-k关系第29页，共96页，星期日，2025年，2月5日k称为波矢，大小为：方向为平面波的传播方向自由电子的波函数(一维情况)自由电子的运动状态自由电子空间分布自由电子在空间是等几率分布的,自由运动第30页，共96页，星期日，2025年，2月5日自由电子E与k的关系Ek0能量E(k)自由电子的能量E(k)是连续能谱第31页，共96页，星期日，2025年，2月5日晶体中的周期性势场分布(一维)rRV(r)Rn是任意晶格矢量晶体中的电子是在具有周期性的等效势场中运动——单电子近似晶体中电子的运动状态第32页，共96页，星期日，2025年，2月5日晶体中电子的波动方程布洛赫定理——当势场具有周期性时，波动方程的解具有如下形式：平面波因子(位相因子)eikr是k方向上传播的平面波，反映电子的共有化运动。u(r)具有和晶格一样的周期性，即：u(r)反映周期势场对共有化运动的影响第33页，共96页，星期日，2025年，2月5日电子在晶体中的分布几率是晶格的周期函数，晶体中各处分布几率不同，但不同原胞的等价位置上出现的几率相同。电子在晶体中的分布：第34页，共96页，星期日，2025年，2月5日电子能量分布-布里渊区允带允带允带禁带禁带kE0π/a-2π/a3π/a-π/a2π/a-3π/a第1第2第2第3第3布里渊区电子在周期场中运动时其能量不连续，形成一系列允带和禁带。一个允带对应的k值范围称为布里渊区kE简约布里渊区π/a-π/a0简约波矢平移第35页，共96页，星期日，2025年，2月5日k值只能取分立值——对应一个能级，线度为1/L 布里渊区——对应一个能带第一布里渊区,对应内壳层分裂的能级能量第二布里渊区,对应较高壳层的能级能量简约布里渊区将其他区域平移2nπ/a移动至第一布里渊区，这时第一布里渊区称为简约布里渊区这一区域的波矢k称为简约波矢允带和禁带晶体中的电子能量某些能量区域是禁止的，即禁带.允带以禁带分隔,禁带出现在布里渊区边界问题：波矢k——能级？布里渊区——能带？第36页，共96页，星期日，2025年，2月5日金刚石结构的第一布里渊区是一个十四面体思考：布里渊区边界各处的能量？第37页，共96页，星期日，2025年，2月5日§1.3半导体中电子的运动有效质量半导体导带中E(k)与k的关系kE简约布里渊区导带价带——考虑能带底或能带顶的电子能量状