第1章 半导体基础知识.pptVIP

六.其它二极管1.发光二极管(LED)(LightEmittingDiode)发光二极管的外型符号当用砷化镓、磷化镓等制成二极管时，若有一定电流从阳极流向阴极，由于电子与空穴复合而发光，有红、绿、黄、橙、蓝等色。LED的工作电流一般为几~十几mA，红色的正向电压在1.6~1.8V之间，绿色的约为2V。LED可单管应用或组成显示屏，因其功耗低、寿命长、可靠性高，广泛应用于各种显示电路中（使用寿命可达10万小时）。LED不含汞，环保性能更好。LED急需面对的问题：成本、技术、透光效率

第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.光电二极管外形和符号外形符号第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日光电二极管的伏安特性光电二极管的伏安特性工作在第一象限的原理电路工作在第三象限的原理电路工作在第四象限的原理电路第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日VCC【例1-6】已知发光二极管的导通电压UD=1.6V，正向电流为5~20mA,VCC=6.6V，计算R的取值范围。解：第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数§1.3晶体三极管六、几个常用三极管的特性参数第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、晶体管的放大原理扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日电流分配：IE＝IB＋ICIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流也称集电极—基极反向饱和电流直流电流放大系数交流电流放大系数第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日三、晶体管的共射输入特性和输出特性对于小功率晶体管，UCE等于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。1.输入特性第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第1章半导体基础知识第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日§1半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日一、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体？什么是本征半导体？导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质稳定的结构第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日两种载流子外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。热力学温度0K时不导电。第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、杂质半导体

1.N型半导体磷（P）杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.P型