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基于非晶氧化镓日盲紫外光电探测器的性能研究
摘要
来自太阳200nm-280nm波段的辐射光在经过大气层时会被其中的臭氧层吸收
无法到达地球表面，近地面基本不存在这一波段的紫外辐射，因此该波段也被称之
为日盲区域。与红外或者可见光的光电探测器相比，工作波段为日盲区域的日盲紫
外光电探测器由于没有外在背景信号的干扰，具有高灵敏度、高准确度以及强抗干
扰能力等优势。通常，制备日盲紫外光电探测器需要禁带宽度大于4.4eV的超宽带
隙半导体材料。GaO材料的带隙宽度一般在4.4-5.3eV之间，吸收截止波长恰好
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对应日盲区域，且不需要复杂合金化过程，是制备日盲紫外光电探测器的天然理想
材料。此外，非晶GaO材料(a-GaO)内部还有着巨大的光电导增益，可以进一步
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提升光电探测器性能。迄今为止，各种结构的GaO基日盲紫外光电探测器已被广
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泛报道，但较低的响应度仍然是阻碍自供电型日盲紫外光电探测器发展的重要因
素。
基于此，本论文以非晶GaO薄膜为主要研究对象，在室温下用磁控溅射技
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术制备自供电型非晶GaO日盲紫外光电探测器，通过优化器件结构，调控非晶
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GaO内部氧空位缺陷浓度等手段，开发具有高响应度的GaO基日盲紫外光电探
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测器。由于界面处强大的内建电场；非晶GaO内部巨大的光电增益；以及氧空位
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浓度对器件光电特性的影响，光电探测器的探测性能有着大幅度的提升。文中并对
其性能提升的内在物理机理进行了探究，为进一步获得高性能的日盲紫外光电探
测器提供了思路。取得的成果主要如下：
(1)制备出具有优异探测性能的垂直结构肖特基结型非晶GaO日盲紫外光电
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探测器。本文采用简单的磁控溅射技术，在Si/SiO/Pt基底上制备了结构为Pt/a-
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GaO/ITO的垂直型肖特基结日盲紫外光电探测器。结果表明，由于a-GaO内部
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巨大的光电导增益，在-3V偏压下，器件有着高达671A/W的响应度，以及27/11ms
的快速响应时间。不仅如此，在Pt/a-GaO界面处强大的内建电场的帮助下，器件
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在无外部电源条件下有着更为优异的表现。在0V偏压下，光电探测器展现出了
3.69A/W的超高响应度，更加快速的响应时间为2.6/6.6ms。此外，器件还在紫外
成像方面显示出了优异的性能，有着极强的应用前景。
(2)Pt/a-GaO/ITO器件中的负光电导现象。在这项工作中，我们发现了氧化镓
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基器件中的可控负光电导现象，并对此现象产生的原因进行了深入探究。通过调控
生长非晶氧化镓薄膜时氧气的含量，器件的光电响应从正光电导逐渐过渡到负光
电导。并且在实验过程
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